[发明专利]极紫外光微影收集器的清洁方法

说明书

一种极紫外光微影收集器的清洁方法包含对极紫外光辐射源反应室中的极紫外光微影收集器的表面施加清洁化合物，极紫外光微影收集器具有残余物在收集器的表面上。清洁化合物包含：具25>δ_d>15、25>δ_p>10、与30>δ_h>6的汉森溶解度参数的主要溶剂；以及具‑15<pKa<4的酸解离常数pKa的酸。从收集器的表面移除残余物，以及从极紫外光辐射源反应室移除清洁化合物。

技术领域

本揭露的实施方式是有关于极紫外光微影收集器的清洁方法。

背景技术

半导体集成电路(IC)工业已历经快速成长。在集成电路的材料与设计上的技术发展已产生数个集成电路世代，每个世代具有较先前世代小且复杂的电路。在集成电路发展的进程中，随着几何尺寸[即，利用一制程可形成的最小构件(或线)]的减少，功能密度(即，每晶片面积的互连元件的数量)普遍已获得增加。微缩化过程大致上通过增加生产效率以及降低相关成本的方式提供许多优势。这样的微缩化亦已增加了处理与制造集成电路的复杂性。

举例而言，进行更高解析度微影制程的需求成长。一种微影技术为极紫外光微影(EUVL)。极紫外光微影应用采落在极紫外光(EUV)区的光的扫瞄机，极紫外光区具有约1nm至100nm的波长。类似一些光学扫描机，一些极紫外光扫描机提供缩减4倍的投影印刷，除了极紫外光扫描机是使用反射而非折射光学元件，即镜子而非透镜。一种极紫外光光源为激光激发电浆(laser-produced plasma，LPP)。激光激发电浆技术通过将高能量激光光束聚焦在小锡液滴目标上，以形成高度离子化电浆的方式，来产生极紫外光，高度离子化电浆发出具最大峰值发射在13.5nm的极紫外光辐射。接着，极紫外光被激光激发电浆收集器收集，且被光学元件朝微影目标，例如晶圆反射。因粒子、离子、辐射、以及最严重的锡沉积，激光激发电浆收集器受损与劣化。

发明内容

本揭露的一实施方式为一种极紫外光微影收集器的清洁方法，包含对极紫外光辐射源反应室中的具有残余物在收集器表面上的极紫外光微影收集器的表面施加清洁化合物。清洁化合物包含：具25>δ_d>15、25>δ_p>10、与30>δ_h>6的汉森溶解度参数的主要溶剂；以及具-15<pKa<4的酸解离常数pKa的酸。从收集器的表面移除残余物，以及从极紫外光辐射源反应室移除清洁化合物。

附图说明

从以下结合所附附图所做的详细描述，可对本揭露的实施方式有更佳的了解。需强调的是，根据业界的标准实务，各特征并未依比例绘示，且仅作为例示的目的。事实上，为了使讨论更为清楚，各特征的尺寸都可任意地增加或减少。

图1是绘示依照本揭露的一些示范实施方式建构的一种具有激光激发电浆(LPP)极紫外光辐射源的极紫外光微影系统的示意图；

图2A是绘示依照本揭露的一些示范实施方式的用在极紫外光辐射源中的一种残余物收集机构的前视示意图；图2B是绘示依照本揭露的一些实施方式的用在极紫外光辐射源中的一种残余物收集机构的侧视图；图2C是绘示依照本揭露的一些实施方式的用在极紫外光辐射源中的一种叶片的局部图片；

图3是绘示依照本揭露的一些实施方式的极紫外光辐射源100的示意图；

图4A、图4B、与图4C是显示具有残留物的极紫外光收集器的各种表面状况；

图5是绘示依照本揭露的一实施方式的一种极紫外光清洁操作；

图6是绘示依照本揭露的一些实施方式的一种极紫外光收集器的表面的清洁；

图7A是显示使用后的极紫外光收集器，其上有锡残留物沉积，图7B是显示极紫外光收集器于其表面清洁后；