[发明专利]导电特征形成

权利要求书

1.一种半导体工艺的结构，包括：

衬底；

电介质层，所述电介质层在所述衬底上方；

第一导电特征，所述第一导电特征穿过所述电介质层到达所述衬底上的第一源极/漏极区域，所述第一导电特征具有沿着所述第一导电特征的纵向轴线的第一长度和垂直于所述第一长度的第一宽度；以及

第二导电特征，所述第二导电特征穿过所述电介质层到达所述衬底上的第二源极/漏极区域，所述第二导电特征具有沿着所述第二导电特征的纵向轴线的第二长度和垂直于所述第二长度的第二宽度，所述第一导电特征的纵向轴线与所述第二导电特征的纵向轴线对齐，所述第一宽度大于所述第二宽度，所述第一长度小于所述第二长度，

其中，所述第一导电特征的纵向轴线和所述第二导电特征的纵向轴线在所述衬底上的静态随机存取存储器SRAM单元的边界中对齐。

2.根据权利要求1所述的结构，其中，所述第一宽度比所述第二宽度大至少0.5nm。

3.根据权利要求1所述的结构，其中，所述第一导电特征是对于所述衬底上的静态随机存取存储器SRAM结构的位线导电特征。

4.根据权利要求1所述的结构，其中：

所述第一导电特征延伸至所述衬底上的静态随机存取存储器SRAM单元的传输栅极晶体管的源极/漏极区域；并且

所述第二导电特征延伸至所述SRAM单元的上拉晶体管的源极/漏极区域。

5.一种半导体工艺的结构，包括：

衬底；

静态随机存取存储器SRAM结构，所述SRAM结构在所述衬底上；

电介质层，所述电介质层在所述衬底上的所述SRAM结构上方；

位线接触，所述位线接触穿过所述电介质层到达所述SRAM结构；以及

第一电源节点接触，所述第一电源节点接触穿过所述电介质层到达所述SRAM结构，所述第一电源节点接触的纵向轴线与所述位线接触的纵向轴线对齐，所述第一电源节点接触的长度大于所述位线接触的长度，所述第一电源节点接触的宽度小于所述位线接触的宽度。

6.根据权利要求5所述的结构，其中，所述第一电源节点接触的宽度比所述位线接触的宽度小至少0.5nm。

7.根据权利要求5所述的结构，其中，所述第一电源节点接触的长度和所述位线接触的长度沿着所述SRAM结构的SRAM单元的边界对齐。

8.根据权利要求5所述的结构，还包括：

第二电源节点接触，所述第二电源节点接触穿过所述电介质层到达所述SRAM结构，所述位线接触的长度、所述第一电源节点接触的长度、和所述第二电源节点接触的长度沿着所述SRAM结构的SRAM单元的第一边界对齐，所述第二电源节点接触的宽度等于所述第一电源节点接触的宽度；

互补位线接触，所述互补位线接触穿过所述电介质层到达所述SRAM结构；

第三电源节点接触，所述第三电源节点接触穿过所述电介质层到达所述SRAM结构，所述第三电源节点接触的长度大于所述互补位线接触的长度，所述第三电源节点接触的宽度小于所述互补位线接触的宽度；以及

第四电源节点接触，所述第四电源节点接触穿过所述电介质层到达所述SRAM结构，所述互补位线接触的长度、所述第三电源节点接触的长度、和所述第四电源节点接触的长度沿着所述SRAM单元的第二边界对齐，所述第四电源节点接触的宽度等于所述第三电源节点接触的宽度。