[发明专利]镀膜设备

说明书

一种镀膜设备包括加工腔室、旋转装置以及旋转承载座。旋转装置设置于前述加工腔室中。旋转承载座连接至前述旋转装置。旋转承载座包括两个延伸元件、两个容纳元件以及两个销。前述延伸元件围绕中心轴设置且相互分离，其中前述延伸元件的每一个具有一侧面。前述容纳元件的每一个具有一底面，前述容纳元件的其中一个连接至前述侧面的其中一个，且前述容纳元件的另一个连接至前述侧面的另一个。前述销的其中一个连接至前述底面的其中一个，且前述销的另一个连接至前述底面的另一个。

技术领域

本公开实施例涉及一种镀膜设备，尤其涉及一种具有旋转承载座的镀膜设备。

背景技术

在传统技术中，物理气相沉积(physical vapor deposition；PVD)设备配置以在晶片上蒸镀薄膜。镀膜设备包括旋转承载座及蒸镀装置。旋转承载座配置以容纳并旋转晶片。旋转承载座设置于蒸镀装置上方，且蒸镀装置配置以施加镀膜材料于晶片的底面上。

然而，一般而言，位于晶片边缘上的镀膜材料并不均匀，而可能造成晶片边缘的镀膜品质不佳，以及晶片边缘的使用率偏低。

虽然现有的物理气相沉积(PVD)设备普遍足以达到其设计的目的，但在各方面仍未完全地令人满意。因此，需要提供一种解决方案来改良物理气相沉积设备。

发明内容

本公开实施例提供一种镀膜设备。可通过前述镀膜设备改善目标对象的边缘的镀膜品质及一致性。

本公开实施例提供一种镀膜设备，包括：加工腔室、旋转装置以及旋转承载座。旋转装置设置于前述加工腔室中。旋转承载座连接至前述旋转装置。旋转承载座包括：两个延伸元件、两个容纳元件以及两个销。前述延伸元件围绕中心轴设置且相互分离，其中前述延伸元件的每一个具有一侧面。前述容纳元件的每一个具有一底面，前述容纳元件的其中一个连接至前述侧面的其中一个，且前述容纳元件的另一个连接至前述侧面的另一个。前述销的其中一个连接至前述底面的其中一个，且前述销的另一个连接至前述底面的另一个。

在一些实施例中，目标对象放置于前述销上，并位于前述容纳元件之间，且前述中心轴通过前述目标对象的中心。前述延伸元件、前述容纳元件和前述销围绕前述中心轴，且前述销朝向前述中心轴延伸。

在一些实施例中，前述销的其中一个和前述中心轴之间的距离小于前述容纳元件的其中一个和前述中心轴之间的距离。

在一些实施例中，前述容纳元件的其中一个的长度介于4mm至10mm的范围内，且前述容纳元件的长度在垂直于前述中心轴的方向上测量。

在一些实施例中，前述销的其中一个的长度介于4mm至10mm的范围内，且前述销的长度在垂直于前述中心轴的方向上测量。

在一些实施例中，前述销的其中一个的厚度介于1mm至3mm的范围内，且前述销的厚度在平行于前述中心轴的方向上测量。

在一些实施例中，前述旋转装置配置以将前述旋转承载座围绕主轴旋转。前述旋转承载座垂直于前述主轴延伸。前述主轴平行于前述中心轴且与前述中心轴分离。

在一些实施例中，前述延伸元件的侧面垂直于前述容纳元件的底面延伸。在一些实施例中，在一剖视图中，前述延伸元件的侧面为弯曲表面，前述容纳元件的底面为平坦表面，且在一平面图中，前述延伸元件的侧面和前述容纳元件的底面呈C字形。

在一些实施例中，前述目标对象具有一对位标记和一识别标记，且前述销的其中一个覆盖前述对位标记或前述识别标记。在一些实施例中，一间隙形成于前述延伸元件的两相邻端部之间。