[发明专利]存储器的控制方法、装置、存储介质

权利要求书

1.一种存储器的控制方法，其特征在于，所述方法包括：

对所述存储器进行编程操作；其中，至少在所述编程操作的全导通阶段，在所述存储器的未选定的顶部选择栅TSG上施加第一电压，以使得所述未选定的TSG处于关闭状态；所述第一电压为负电压；

其中，所述至少在所述编程操作的全导通阶段，在所述存储器的未选定的TSG上施加第一电压，包括：

在所述存储器的未选定字线WL上开始施加第二电压之前，开始在所述存储器的未选定的TSG上施加所述第一电压。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述至少在所述编程操作的全导通阶段，在所述存储器的未选定的TSG上施加第一电压，包括：

在所述存储器的未选定WL上施加的所述第二电压满足第一预设条件之后，停止在所述存储器的未选定的TSG上施加所述第一电压；所述第二电压为在所述编程操作的全导通阶段导通所述未选定WL的电压。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述在所述存储器的未选定WL上施加的所述第二电压满足第一预设条件之后，停止在所述存储器的未选定的TSG上施加所述第一电压，包括：

在所述存储器的未选定WL上施加的所述第二电压满足第一预设条件之后，且在所述存储器的选定WL上施加的第三电压满足第二预设条件之前，停止在所述存储器的未选定的TSG上施加所述第一电压；所述第三电压为在所述编程操作的编程阶段编程所述选定WL的电压。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

在所述编程操作的预充电阶段，在所述存储器的选定的TSG上施加第四电压，在所述存储器的未选定的TSG上施加第五电压，在所述存储器的选定的底部选择栅BSG上施加第六电压；其中，施加所述第四电压的持续时长比施加所述第五电压的持续时长长。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述第四电压的与所述第五电压的电位相同。

6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述第六电压为接地电压。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述存储器为三维NAND型存储器。

8.一种存储器的控制装置，其特征在于，包括：

第一控制单元，用于对所述存储器进行编程操作；其中，至少在所述编程操作的全导通阶段，在所述存储器的未选定的TSG上施加第一电压，以使得所述未选定的TSG处于关闭状态；所述第一电压为负电压；

所述第一控制单元，具体用于：

第一控制单元在所述存储器的未选定字线WL上开始施加第二电压之前，开始在所述存储器的未选定的TSG上施加所述第一电压。

9.一种存储器的控制装置，其特征在于，包括：处理器和用于存储能够在处理器上运行的可执行指令的存储器；

其中，所述处理器用于运行所述可执行指令时，执行权利要求1至7任一项所述方法的步骤。

10.一种存储介质，其特征在于，所述存储介质上存储有可执行指令，当所述可执行指令被处理器执行时，实现权利要求1至7任一项所述方法的步骤。