[发明专利]DRAM存储器及其形成方法

权利要求书

1.一种DRAM存储器的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有若干分立的有源区，所述若干有源区之间通过隔离层隔离；

刻蚀所述有源区和隔离层，在所述有源区和隔离层中形成字线沟槽；

沿所述隔离层中字线沟槽的侧壁继续刻蚀所述隔离层，使所述隔离层中字线沟槽的宽度变宽，以使得所述隔离层中的那一部分字线沟槽的宽度大于有源区中那一部分字线沟槽的宽度；

在所述字线沟槽中形成字线结构，所述隔离层中的那一部分字线结构的宽度大于位于有源区中那一部分字线结构的宽度。

2.如权利要求1所述的DRAM存储器的形成方法，其特征在于，所述沿所述隔离层中字线沟槽的侧壁继续刻蚀所述隔离层采用各项同性的湿法刻蚀工艺。

3.如权利要求2所述的DRAM存储器的形成方法，其特征在于，所述各项同性的湿法刻蚀工艺采用的刻蚀溶液对隔离层的刻蚀速率与对有源区的刻蚀速率之比大于3:1。

4.如权利要求2所述的DRAM存储器的形成方法，其特征在于，所述有源区的材料为硅，所述隔离区的材料为氧化硅。

5.如权利要求4所述的DRAM存储器的形成方法，其特征在于，所述各项同性的湿法刻蚀工艺采用的刻蚀溶液为氢氟酸。

6.如权利要求1所述的DRAM存储器的形成方法，其特征在于，所述沿所述隔离层中字线沟槽的侧壁继续刻蚀所述隔离层时，所述隔离层被刻蚀的宽度为10nm-15nm。

7.如权利要求1或2所述的DRAM存储器的形成方法，其特征在于，所述字线沟槽的形成过程为：

在所述有源区和隔离层中形成掩膜层；

所述掩膜层中具有平行的开口，所述开口的延伸方向与所述有源区的延伸方向成一斜角，每一个开口均暴露出部分所述有源区和隔离层表面；

沿所述开口刻蚀所述有源区有源区和隔离区，在所述有源区和隔离层中形成字线沟槽；

继续以所述掩膜层为掩膜，沿所述隔离层中字线沟槽的侧壁继续刻蚀所述隔离层，使所述隔离层中字线沟槽的宽度变宽。

8.如权利要求1所述的DRAM存储器的形成方法，其特征在于，所述字线结构包括位于所述字线沟槽侧壁和底部的栅氧化层和位于所述栅氧化层上填充所述字线沟槽的金属电极。

9.如权利要求8所述的DRAM存储器的形成方法，其特征在于，通过对所述有源区中的字线沟槽侧壁进行氧化，在所述字线沟槽侧壁和底部形成所述栅氧化层。

10.如权利要求1所述的DRAM存储器的形成方法，其特征在于，每一个有源区中形成有两个分立的字线沟槽，所述两个字线沟槽将每个有源区分成位于中间的漏极和分别位于所述漏极两侧的两个源极。

11.一种DRAM存储器，其特征在于，包括：

半导体衬底，所述半导体衬底上形成有若干分立的有源区，所述有源区之间通过隔离层隔离；

位于所述有源区和隔离层中的字线沟槽，位于所述隔离层中的那一部分字线沟槽的宽度大于位于所述有源区中那一部分字线沟槽的宽度；

位于所述字线沟槽中的字线结构，位于所述隔离层中的那一部分字线结构的宽度大于位于所述有源区中那一部分字线结构的宽度。

12.如权利要求11所述的DRAM存储器，其特征在于，位于所述隔离层中的那一部分字线沟槽的宽度大于位于所述有源区中那一部分字线沟槽的宽度的值为10nm-15nm。

13.如权利要求11所述的DRAM存储器，其特征在于，所述有源区的材料为硅，所述隔离区的材料为氧化硅。