[发明专利]显示面板、显示装置及显示面板的制作方法在审
申请号: | 201910817852.2 | 申请日: | 2019-08-30 |
公开(公告)号: | CN110783382A | 公开(公告)日: | 2020-02-11 |
发明(设计)人: | 梁超;陶国胜;刘如胜 | 申请(专利权)人: | 昆山国显光电有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56 |
代理公司: | 11659 北京远智汇知识产权代理有限公司 | 代理人: | 范坤坤 |
地址: | 215300 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 像素限定层 第二电极 像素区 第一电极 第一基板 隔离结构 显示面板 隔离槽 显示区 像素开口 发光层 隔离区 子像素 透光基板 显示装置 自动隔断 隔断 制作 | ||
1.一种显示面板,其特征在于,至少包括第一显示区,所述第一显示区具有第一子像素,所述第一显示区包括:
第一基板,所述第一基板为透光基板;
位于所述第一基板一侧的第一电极和第一像素限定层,所述第一像素限定层位于所述第一电极上;
其中,所述第一像素限定层包括多个像素区和隔离区;每个所述像素区包括至少一个第一像素开口,每个所述第一像素开口内包括层叠的第一发光层和第二电极,所述第一子像素包括所述第一电极、所述第一发光层和所述第二电极;每个所述隔离区包括一个隔离槽,所述隔离槽内设置有隔离结构,所述隔离结构用于隔断相邻两个所述像素区的所述第二电极。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一子像素为被动驱动方式发光;所述像素区和所述隔离区在第一方向上交替排布,每个所述像素区包括至少一个沿第二方向排布的所述第一像素开口,所述隔离槽及所述隔离结构均沿所述第二方向延伸,所述第一方向和所述第二方向相交。
3.根据权利要求1或2所述的显示面板,其特征在于,所述隔离结构的高度小于或等于所述第一像素限定层的高度;或者,所述第一像素限定层上设置有支撑柱,所述支撑柱用于支撑蒸镀用掩模板,所述隔离结构的高度小于或等于所述支撑柱的高度;
优选地,所述隔离槽的深度小于所述第一像素开口的深度;
优选地,所述隔离结构的厚度范围为1μm~2μm;
优选地,所述隔离槽包括两个相对的且平行于所述隔离槽的延伸方向的侧壁,所述隔离结构与至少一个所述侧壁不接触。
4.根据权利要求1或2所述的显示面板,其特征在于,所述隔离结构包括层叠的支撑部和隔断部,所述支撑部与所述隔离槽的底部接触,所述隔断部的靠近相邻像素区的至少一侧凸出于所述支撑部设置;
优选地,所述支撑部和所述隔断部一体成型;
优选地,所述隔离结构呈T型或者倒梯形;
优选地,所述隔离结构的材料包括透明有机胶;
优选地,所述透明有机胶包括光敏胶。
5.根据权利要求1或2所述的显示面板,其特征在于,在所述隔离结构的延伸方向上,所述隔离结构的宽度连续变化或间断变化,所述隔离结构的延伸方向平行于所述第一基板,所述隔离结构的宽度为所述隔离结构在所述第一基板上的正投影,在垂直于所述隔离结构的延伸方向上的尺寸;
优选地,所述正投影的靠近所述像素区的至少一侧边为非直线形;
优选地,所述非直线形包括折线段、弧形和波浪形中的至少一种。
6.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括第二显示区,所述第二显示区具有第二子像素,所述第二显示区包括:
第二基板;位于所述第二基板一侧的第三电极和第二像素限定层,所述第二像素限定层位于所述第三电极上;所述第二像素限定层包括多个第二像素开口,每个所述第二像素开口内包括层叠的第二发光层和第四电极,所述第二子像素包括所述第三电极、所述第二发光层和所述第四电极;
优选地,所述第二子像素为主动驱动方式发光;
优选地,所述第三电极为块状电极,所述第四电极为面电极;
优选地,所述第二显示区完全或部分围绕所述第一显示区;
优选地,所述第二基板和所述第一基板相拼接,或者所述第二基板和所述第一基板为一体结构;
优选地,所述第一显示区和所述第二显示区的部分膜层位于同一层,其中,所述第一显示区和所述第二显示区的部分膜层位于同一层满足以下至少一种情况:所述第一电极和所述第三电极位于同一层,所述第一像素限定层和所述第二像素限定层位于同一层,所述第一发光层和所述第二发光层位于同一层,所述第二电极和所述第四电极位于同一层;
优选地,所述第一显示区为透明显示区;
优选地,所述透明显示区的透光率大于70%;
优选地,所述第一电极为透明电极,所述透明电极的材料包括氧化铟锡、氧化铟锌、掺杂银的氧化铟锡及掺杂银的氧化铟锌中的至少一种;
优选地,所述显示面板还包括至少位于所述第二显示区的偏光片,所述偏光片位于所述第二像素限定层远离所述第二基板的一侧。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的