[发明专利]一种电机转子用旋转整流二极管及其制作工艺有效

专利信息
申请号: 201910818745.1 申请日: 2019-08-30
公开(公告)号: CN110808234B 公开(公告)日: 2022-06-17
发明(设计)人: 王光磊;袁正刚;王宏;钟俊 申请(专利权)人: 中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)
主分类号: H01L23/492 分类号: H01L23/492;H01L29/861;H01L21/48;H01L21/329
代理公司: 贵州派腾知识产权代理有限公司 52114 代理人: 汪劲松
地址: 550018 贵州省*** 国省代码: 贵州;52
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摘要:
搜索关键词: 一种 电机 转子 旋转 整流二极管 及其 制作 工艺
【权利要求书】:

1.一种电机转子用旋转整流二极管,其特征在于:包括管芯(1),所述管芯(1)为环形,管芯(1)的内壁上制作有钝化层(3),管芯(1)的外壁上制作有合金层(2),所述钝化层(3)的高度与合金层(2)的高度相同,所述管芯(1)的高度大于钝化层(3)的高度;

其制作工艺步骤为:

①在硅衬底表面生长氧化层;

②对硅衬底的氧化层上下端面进行光刻和刻蚀形成有源区窗口,然后通过固态源扩散形成PN结;

③对硅衬底的氧化层内外侧进行光刻去除氧化层,然后将硅衬底置于蒸发室内,在去除氧化层的表面形成厚度为1~3μm的蒸铝层;

④使用金属刻蚀液刻蚀硅衬底外侧的蒸铝层,刻蚀温度:50~100℃,刻蚀时间:60s~240s;后将硅衬底置于蒸发室内,在刻蚀出的表面首先形成一层厚度为1~3μm的铝层,然后形成一层厚度为0.5~2μm的钛层;

⑤用金属刻蚀液刻蚀硅衬底内侧的蒸铝层,刻蚀温度:50~100℃,刻蚀120~360s后,在硅衬底内侧光刻一层厚度为0.2~3μm的聚酰亚胺;

⑥将硅衬底的厚度减薄到200~350μm,然后通过激光划片规则形状后装模烧焊,焊接温度:300~500℃;

所述步骤①为掺氯氧化,氧化膜厚度为6000 Å ~12000Å ,氧化温度为1100~1200℃,氧化时间为1~3h ;

所述步骤②中采用硼源扩散,扩散温度:1000~1200℃,扩散时间:3~6h,方块电阻:R=10~60Ω/□;扩散结深:5~10 μm 。

2.如权利要求1所述的电机转子用旋转整流二极管,其特征在于:所述金属刻蚀液为铝刻蚀液。

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