[发明专利]集成电路封装结构及其形成方法在审
申请号: | 201910818863.2 | 申请日: | 2019-08-30 |
公开(公告)号: | CN112447777A | 公开(公告)日: | 2021-03-05 |
发明(设计)人: | 林继周;和正平 | 申请(专利权)人: | 旭景科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;G06K9/00 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 宋永慧 |
地址: | 中国台湾台北市大安*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 集成电路 封装 结构 及其 形成 方法 | ||
本发明涉及一种集成电路封装结构及其形成方法,其包含:第一基材层,具有第一顶面与第一底面,其中多个导线电路形成于所述第一顶面与所述第一底面上;集成电路,具有至少一镀金芯片焊垫于所述集成电路顶面,其中所述至少一镀金芯片通过表面贴装技术连接到所述第一基材层的所述第一底面对应的导线电路;第二基材层,具有第二顶面与第二底面,其中多个导线电路形成于所述第二底面上,且所述导线电路的部分被防焊油墨覆盖而其它部分露出于外部;以及填料层,形成于所述第一基材层与所述第二基材层之间并环绕所述集成电路。
技术领域
本发明涉及电路封装领域,特别是关于一种集成电路封装结构及其形成方法。
背景技术
电子产品的趋势是使其尺寸小且厚度紧凑,然而存在许多问题,例如散热,需要在设计过程中解决;其中一个问题是如何将必要的元件合并到集成电路或印刷电路板中。在印刷电路板的制造过程里,电子元件可以嵌入印刷电路板中,该技术始于OhmegaTechnologies,Inc.的埋入式电阻器技术。虽然它开始仅能使用被动元件,但现在工业上已经广泛地接受主动元件可以通过各种修改和发明来应用。
在所有集成电路中,有几种具有特定功能并且需要与外部环境交互工作,例如电荷耦合器件(CCD)和互补式金属氧化物半导体(CMOS)影像传感器,相机传感器和鼠标传感器分别是CCD和CMOS影像传感器的典型产品。电容式指纹侦测器是另一个例子。指纹侦测器的传感器需要检测电容的变化,鼠标传感器需要接收表面上的光变化。即使那些集成电路嵌入到印刷电路板中,也要求集成电路的适当布置和配置以便暴露到外部环境。然而,集成电路工作的良好设计也很重要。
回顾已知技术,有几项发明聚焦于上述一些需求。美国专利第8083954号、美国专利第8302299号,及美国专利申请第20130092420号为电子设备嵌入印刷电路板提供了很好的解决方案。然而,它们不适合用于感测的主动电子设备,诸如CCD/CMOS影像传感器,或电容式指纹传感器暴露或接近外部环境。
美国专利第7090139号揭露一种集成电路卡及其制造方法。依照美国专利第7090139号,电子装置是通过各向异性导电膜连接到布线中,该方法显著地将封装的总厚度减小到集成电路卡的厚度要求。然而,当设备是暴露于环境或靠近外部环境放置的传感器时,提供对传感器的静电放电保护是一个重要的议题。各向异性导电膜的有限载流能力将限制保护电路耗散静电放电电流的能力,进而导致传感器损坏。
为了减小具有电子装置(芯片)的封装厚度,本发明的发明人还在美国专利第9295198号中公开了一种方法。依照美国专利第9295198号,可以制造嵌入芯片的3层印刷电路板结构而没有接合线。然而,封装的总厚度可进一步减小以适应卡、卡式装置或可穿戴设备的要求。
为此,需要我们提供一种改进的方法来封装上述装置。
发明内容
基于此,为了满足上述要求并解决上述问题,提出一种集成电路封装结构。
一种集成电路封装结构包含:第一基材层,具有第一顶面与第一底面,其中多个导线电路形成于所述第一顶面与所述第一底面上;集成电路,具有至少一镀金芯片焊垫在所述集成电路顶面,其中所述至少一镀金芯片焊垫通过表面贴装技术连接到所述第一基材层的所述第一底面对应的导线电路;第二基材层,具有第二顶面与第二底面,其中多个导线电路形成于所述第二底面上,且所述导线电路的部分被防焊油墨覆盖而其它部分露出于外部;以及填料层,形成于所述第一基材层与所述第二基材层之间并环绕所述集成电路,黏附所述第一基材层和所述第二基材层,且固定所述第一基材层和所述第二基材层之间的所述集成电路。至少一镀通孔穿过所述第二基材层、所述填料层及所述第一基材层而形成,连接形成所述第二基材层与所述第一基材层上的导线电路。
在其中一个实施例中,所述集成电路可被保护涂层覆盖但所述镀金芯片焊垫未被所述保护涂层覆盖。所述保护涂层可包含绝缘和钝化有机材料。所述绝缘和钝化有机材料可为聚酰亚胺。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的