[发明专利]薄膜晶体管及其制备方法、显示装置

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，包括衬底基板、设置于所述衬底基板之上的有源层以及设置于所述有源层之上的绝缘层，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括设置于所述绝缘层之上的源漏极和栅极，所述源漏极和所述栅极同层设置；所述栅极远离所述有源层一侧的表面、所述源漏极远离所述有源层一侧的表面以及所述绝缘层远离所述有源层一侧的表面平齐。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述绝缘层远离所述有源层的一侧具有凹槽以及与所述有源层连通的过孔，所述栅极位于所述凹槽中，通过所述绝缘层与所述有源层隔开，所述源漏极位于所述过孔中，与所述有源层连接。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述绝缘层的材料采用氧化硅或氮氧化硅。

4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，还包括设置于所述源漏极和所述栅极之上的钝化层，所述钝化层覆盖所述源漏极和所述栅极。

5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述有源层的材料采用有机半导体材料或金属氧化物半导体材料。

6.根据权利要求5所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述有机半导体材料采用聚噻吩、聚苯胺、聚吡咯、聚芴、并五苯、酞青氧钛和红荧烯中的至少一种。

7.根据权利要求5所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述金属氧化物半导体材料采用氧化锌、氧化铟锌、氧化锌锡、镓铟锌氧化物与锆铟锌氧化物中的至少一种。

8.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-7任一所述的薄膜晶体管。

9.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括：

提供衬底基板，在所述衬底基板之上形成有源层；

在所述有源层之上形成绝缘层；

在所述绝缘层之上形成源漏极和栅极，所述源漏极和所述栅极同层设置；所述栅极远离所述有源层一侧的表面、所述源漏极远离所述有源层一侧的表面以及所述绝缘层远离所述有源层一侧的表面平齐。

10.根据权利要求9所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，在所述绝缘层之上形成源漏极和栅极，所述源漏极和所述栅极同层设置包括：

在所述绝缘层远离所述有源层的一侧形成凹槽以及与所述有源层连通的过孔；

采用同一制备工艺在所述凹槽中以及所述过孔中形成栅极和源漏极。

11.根据权利要求10所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，在所述绝缘层远离所述有源层的一侧形成凹槽以及与所述有源层连通的过孔包括：

在所述绝缘层远离所述有源层的一侧形成过渡槽；

采用同一制备工艺，同时对所述过渡槽以及所述过渡槽以外的所述绝缘层进行刻蚀，形成上述过孔和上述凹槽。

12.根据权利要求11所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述过渡槽的深度等于所述凹槽的底部到所述有源层顶表面之间的垂直距离。

13.根据权利要求11所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述过孔的深度等于所述过渡槽的深度与所述凹槽的深度相加之和。