[发明专利]薄膜晶体管及其制备方法、显示装置

说明书

本发明实施例提供一种薄膜晶体管及其制备方法、显示装置，该薄膜晶体管包括衬底基板、设置于所述衬底基板之上的有源层以及设置于所述有源层之上的绝缘层，所述薄膜晶体管还包括设置于所述绝缘层之上的源漏极和栅极，所述源漏极和所述栅极同层设置；以减小薄膜晶体管膜层的段差，从而提高产品良率以及提升显示面板的显示品质。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种薄膜晶体管及其制备方法、显示装置。

背景技术

有机发光二极管(英文：Organic Light-Emitting Diode；简称：OLED)显示装置具有自发光、反应快、视角广、亮度高、色彩艳以及轻薄等优点，被认为是显示领域中最具有应用前景的显示装置。

现有显示产品主要以UHD或者4k显示分辨率为主流，随着日益增长的产品需求，高精度显示(如8k显示技术)的技术开发显得尤为重要。在8k等高精度显示中，因较密集的布线方式需要金属导线之间的绝缘层具有较好的覆盖性和孔搭接，而现有金属线厚度为600-1000nm，绝缘层叠层厚度达800-1000nm，连接孔的制备工艺技术局限性较大，易出现断线或短路等影响良率。

顶发射显示器件具有开口率大、分辨率高等优点受到了人们的广泛重视。有机发光层因阵列基板膜层的段差而产生微腔效应或尖端放电等不良，导致有机发光器件效率下降；故在制备有机发光材料层之前制备平坦膜材料以降低阵列基板膜层的段差。现有有机发光层制备前的平坦膜，因阵列基板膜层制备中栅极和源漏极布线在不同平面，使得膜层段差大，一般为1.2～2.0um，平坦度较差，限制了有机器件的效率和寿命，导致产品良率和品质较低。

发明内容

本发明实施例所要解决的技术问题是，提供一种薄膜晶体管及其制备方法、显示装置，以减小薄膜晶体管膜层的段差，从而提高产品良率以及提升显示面板的显示品质。

为了解决上述技术问题，本发明实施例提供了一种薄膜晶体管，包括衬底基板、设置于所述衬底基板之上的有源层以及设置于所述有源层之上的绝缘层，所述薄膜晶体管还包括设置于所述绝缘层之上的源漏极和栅极，所述源漏极和所述栅极同层设置。

可选地，所述绝缘层远离所述有源层的一侧具有凹槽以及与所述有源层连通的过孔，所述栅极位于所述凹槽中，通过所述绝缘层与所述有源层隔开，所述源漏极位于所述过孔中，与所述有源层连接。

可选地，所述栅极远离所述有源层一侧的表面、所述源漏极远离所述有源层一侧的表面以及所述绝缘层远离所述有源层一侧的表面平齐。

可选地，所述绝缘层的材料采用氧化硅或氮氧化硅。

可选地，还包括设置于所述源漏极和所述栅极之上的钝化层，所述钝化层覆盖所述源漏极和所述栅极。

可选地，所述有源层的材料采用有机半导体材料或金属氧化物半导体材料。

可选地，所述有机半导体材料采用聚噻吩、聚苯胺、聚吡咯、聚芴、并五苯、酞青氧钛和红荧烯中的至少一种。

可选地，所述金属氧化物半导体材料采用氧化锌、氧化铟锌、氧化锌锡、镓铟锌氧化物与锆铟锌氧化物中的至少一种。

本发明实施例还提供了一种显示装置，包括前述的薄膜晶体管。

为了解决上述技术问题，本发明实施例还提供了一种薄膜晶体管的制备方法，包括：

提供衬底基板，在所述衬底基板之上形成有源层；

在所述有源层之上形成绝缘层；

在所述绝缘层之上形成源漏极和栅极，所述源漏极和所述栅极同层设置。

可选地，在所述绝缘层之上形成源漏极和栅极，所述源漏极和所述栅极同层设置包括：