[发明专利]光刻工艺方法

权利要求书

1.一种光刻工艺方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤一、提供需要进行光刻定义的基片，对所述基片进行前处理来改变所述基片的表面态，以增强所述基片的材料和光刻胶的黏附力；

所述基片为硅衬底基片，在进行所述前处理之前在所述基片上完成了前层工艺；

所述基片的表面包括裸硅表面、多晶硅表面、介质层表面或金属层表面；在所述基片表面上具有局部台阶结构；

所述前处理包括如下分步骤：

步骤11、对所述基片表面进行第一步干法前处理，所述第一步干法前处理采用氧气等离子体灰化处理；

步骤12、对所述基片进行第二步湿法前处理，所述第二步湿法前处理采用热APM溶液清洗经过所述第一步干法前处理的所述基片表面；

步骤二、对所基片表面进行疏水处理；

步骤三、在所述基片表面涂布光刻胶；

步骤三之后，还包括如下步骤：

步骤四、对所述光刻胶进行曝光和显影，显影后的所述光刻胶形成光刻胶图形，所述前处理形成的所述基片的材料和光刻胶的黏附力能防止所述光刻胶图形产生移位或剥离。

2.如权利要求1所述的光刻工艺方法，其特征在于：步骤四之后，还包括如下步骤：

步骤五、进行图形对准测量；

步骤六、进行图形线宽测量。

3.如权利要求2所述的光刻工艺方法，其特征在于：步骤六之后，还包括如下步骤：

步骤七、以所述光刻胶图形为掩模进行离子注入或刻蚀。

4.如权利要求1所述的光刻工艺方法，其特征在于：所述第一步干法前处理的温度为150℃～300℃。

5.如权利要求1所述的光刻工艺方法，其特征在于：所述第二步湿法前处理的温度为50℃～70℃。

6.如权利要求1所述的光刻工艺方法，其特征在于：步骤二中的所述疏水处理采用HMDS表面处理。

7.如权利要求1所述的光刻工艺方法，其特征在于：步骤四中，在曝光之前还包括进行前烘的步骤，在显影后还包括进行后烘的步骤。