[发明专利]光刻工艺方法

说明书

本发明公开了一种光刻工艺方法，包括步骤：步骤一、对基片进行前处理来改变基片的表面态，包括分步骤：步骤11、进行第一步干法前处理，第一步干法前处理采用氧气等离子体灰化处理；步骤12、进行第二步湿法前处理，第二步湿法前处理采用热APM溶液清洗基片表面；步骤二、对所基片表面进行疏水处理；步骤三、涂布光刻胶。本发明能增加基片和光刻胶的黏附力，防止光刻胶在显影后产生移位或剥离。

技术领域

本发明涉及一种半导体集成电路制造方法，特别是涉及一种光刻工艺方法。

背景技术

光刻是集成电路制造的重要工艺步骤，实现将设计图形准确转移到基片上。现有光刻工艺方法包括如下步骤：

步骤一、提供需要进行光刻定义的基片如有硅衬底组成的基片，在所述基片上完成了前层工艺。

步骤二、对所基片表面进行疏水处理，通常采用六甲基二硅氮烷(HMDS)表面处理来实现疏水处理。

步骤三、在所述基片表面涂布光刻胶。

步骤四、对所述光刻胶进行前烘、曝光、显影和后烘，显影后的所述光刻胶形成光刻胶图形。

步骤五、进行图形对准测量；

步骤六、进行图形线宽测量。

步骤七、以所述光刻胶图形为掩模进行离子注入或刻蚀。

现有方法在一些特殊工艺的情况下光刻胶在显影后易发生移位或剥离，如裸硅(bare silicon)、多晶硅(POLY)、局部台阶差较大的基片表面状态下，以及光刻图形过于细长的情况时，光刻胶在显影后易发生移位或剥离，采用常规的光刻工艺调整如HMDS表面处理、前烘、显影和后烘等的调整并不能改善光刻胶在显影后易移位或剥离的缺陷。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种光刻工艺方法，能增加基片和光刻胶的黏附力，防止光刻胶在显影后产生移位或剥离。

为解决上述技术问题，本发明提供的光刻工艺方法包括如下步骤：

步骤一、提供需要进行光刻定义的基片，对所述基片进行前处理来改变所述基片的表面态，以增强所述基片的材料和光刻胶的黏附力；所述前处理包括如下分步骤：

步骤11、对所述基片表面进行第一步干法前处理，所述第一步干法前处理采用氧气等离子体灰化处理。

步骤12、对所述基片进行第二步湿法前处理，所述第二步湿法前处理采用热APM溶液清洗经过所述第一步干法前处理的所述基片表面。

步骤二、对所基片表面进行疏水处理。

步骤三、在所述基片表面涂布光刻胶。

进一步的改进是，步骤一中的所述基片为半导体衬底基片，在进行所述前处理之前在所述基片上完成了前层工艺。

进一步的改进是，所述基片为硅衬底基片，所述基片的表面包括裸硅表面、多晶硅表面、介质层表面或金属层表面；在所述基片表面上具有局部台阶结构。

进一步的改进是，步骤三之后，还包括如下步骤：

步骤四、对所述光刻胶进行曝光和显影，显影后的所述光刻胶形成光刻胶图形。

进一步的改进是，步骤四之后，还包括如下步骤：

步骤五、进行图形对准测量。

步骤六、进行图形线宽测量。

进一步的改进是，步骤六之后，还包括如下步骤：

步骤七、以所述光刻胶图形为掩模进行离子注入或刻蚀。