[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，包含：

第一半导体晶圆，包含：

第一基板；以及

至少一个第一导电层，设置在所述第一基板的顶面；

第二半导体晶圆，设置在所述第一半导体晶圆上，其中所述第二半导体晶圆包含：

第二基板；以及

第一导电垫，设置在所述第二基板的顶面；以及

第一导电通道，由所述第一导电垫延伸至所述第一导电层。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一半导体晶圆还包含第一绝缘层，设置在所述第一基板的所述顶面，且所述第一导电层的顶面与所述第一绝缘层的顶面实质上共平面。

3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一半导体晶圆还包含第二导电垫，设置在所述第一基板的底面，且所述半导体装置还包含：

第二导电通道，由所述第一导电层延伸至所述第二导电垫。

4.如权利要求3所述的半导体装置，中所述第一半导体晶圆还包含：

第一模压层，设置在所述第一基板的所述底面，其中所述第二导电垫的底面与所述第一模压层的底面实质上共平面；以及

第一重分布层，设置在所述第一模压层的所述底面，其中所述第二导电垫接触所述第一重分布层。

5.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一半导体晶圆包含多个所述第一导电层，且所述多个第一导电层堆叠在所述第一基板的所述顶面。

6.如权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，所述第一半导体晶圆还包含多个第一互连结构，分别设置在所述多个第一导电层之间。

7.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第二半导体晶圆还包含至少一个第二导电层，设置在所述第二基板的底面，且所述半导体装置还包含：

第三导电通道，由所述第一导电垫延伸至所述第二导电层。

8.如权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，所述第二半导体晶圆还包含第二绝缘层，设置在所述第二基板的底面，且所述第二导电层的底面与所述第二绝缘层的底面实质上共平面。

9.如权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，所述第二半导体晶圆包含多个所述第二导电层，且所述多个第二导电层堆叠在所述第二基板的所述底面。

10.如权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，所述第二半导体晶圆还包含多个第二互连结构，分别设置在所述多个第二导电层之间。

11.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第二半导体晶圆还包含：

第二模压层，设置在所述第二基板的所述顶面，其特征在于，所述第一导电垫的顶面与所述第二模压层的顶面实质上共平面；以及

第二重分布层，设置在所述第二模压层的所述顶面，其中所述第一导电垫接触所述第二重分布层。

12.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，还包含粘胶层，设置在所述第一半导体晶圆与所述第二半导体晶圆之间。

13.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包含：

在第一基板的顶面形成至少一个第一导电层；

接合第二基板至所述第一基板的所述顶面；

形成第一通孔穿过所述第二基板；

在所述第一通孔中形成第一导电通道，使得所述第一导电通道由所述第二基板的顶面延伸至所述第一导电层；以及

在所述第二基板的所述顶面形成第一导电垫，使得所述第一导电垫接触所述第一导电通道。