[发明专利]半导体装置及其制造方法

说明书

本发明公开了一种半导体装置及其制造方法，半导体装置包含第一半导体晶圆、第二半导体晶圆以及第一导电通道。第一半导体晶圆包含第一基板以及设置在第一基板的顶面的至少一个第一导电层。第二半导体晶圆设置在第一半导体晶圆上。第二半导体晶圆包含第二基板以及设置在第二基板的顶面的第一导电垫。第一导电通道由第一导电垫延伸至第一导电层。如此一来，第一半导体晶圆的半导体元件可通过第一导电通道电性连接第二半导体晶圆的半导体元件。

技术领域

本发明是有关于一种半导体装置及一种半导体装置的制造方法。

背景技术

近年来，由于各种电子元件(即晶体管、二极管、电阻器或电容器)的集成密度的不断提升，使得半导体产业快速成长。集成密度的提升来自最小特征尺寸的反复减缩，以允许更多元件集成至给定的区域中。

发明内容

本发明的一个目的在于提供一种半导体装置，其第一半导体晶圆的半导体元件可通过第一导电通道电性连接第二半导体晶圆的半导体元件。

根据本发明一实施方式，半导体装置包含第一半导体晶圆、第二半导体晶圆以及第一导电通道。第一半导体晶圆包含第一基板以及设置在第一基板的顶面的至少一个第一导电层。第二半导体晶圆设置在第一半导体晶圆上。第二半导体晶圆包含第二基板以及设置在第二基板的顶面的第一导电垫。第一导电通道由第一导电垫延伸至第一导电层。

在本发明一实施方式中，第一半导体晶圆还包含设置在第一基板的顶面的第一绝缘层。第一导电层的顶面与第一绝缘层的顶面实质上共平面。

在本发明一实施方式中，第一半导体晶圆还包含设置在第一基板的底面的第二导电垫。半导体装置还包含由第一导电层延伸至第二导电垫的第二导电通道。

在本发明一实施方式中，第一半导体晶圆还包含第一模压层以及第一重分布层。第一模压层设置在第一基板的底面，且第二导电垫的底面与第一模压层的底面实质上共平面。第一重分布层设置在第一模压层的底面，且第二导电垫接触第一重分布层。

在本发明一实施方式中，第一半导体晶圆包含多个第一导电层，且第一导电层堆叠在第一基板的顶面。

在本发明一实施方式中，第一半导体晶圆还包含多个第一互连结构，分别设置在第一导电层之间。

在本发明一实施方式中，第二半导体晶圆还包含设置在第二基板的底面的至少一个第二导电层。半导体装置还包含由第一导电垫延伸至第二导电层的第三导电通道。

在本发明一实施方式中，第二半导体晶圆还包含设置在第二基板的底面的第二绝缘层，且第二导电层的底面与第二绝缘层的底面实质上共平面。

在本发明一实施方式中，第二半导体晶圆包含多个第二导电层，且第二导电层堆叠在第二基板的底面。

在本发明一实施方式中，第二半导体晶圆还包含多个第二互连结构，分别设置在第二导电层之间。

在本发明一实施方式中，第二半导体晶圆还包含第二模压层以及第二重分布层。第二模压层设置在第二基板的顶面，且第一导电垫的顶面与第二模压层的顶面实质上共平面。第二重分布层设置在第二模压层的顶面，且第一导电垫接触第二重分布层。

在本发明一实施方式中，半导体装置还包含设置在第一半导体晶圆与第二半导体晶圆之间的粘胶层。

本发明的另一目的在于提供一种半导体装置的制造方法，其制造的半导体装置的第一导电通道可形成第一半导体晶圆与第二半导体晶圆之间的内连接。

根据本发明一实施方式，半导体装置的制造方法包含：在第一基板的顶面形成至少一个第一导电层；接合第二基板至第一基板的顶面；形成第一通孔穿过第二基板；在第一通孔中形成第一导电通道，使得第一导电通道由第二基板的顶面延伸至第一导电层；以及在第二基板的顶面形成第一导电垫，使得第一导电垫接触第一导电通道。