[发明专利]掩膜版

说明书

本申请公开了一种掩膜版。该掩膜版包括掩膜图案区以及位于掩膜图案区四周的非掩膜图案区；掩膜图案区与非掩膜图案区的分界为非直线型几何图形，几何图形向掩膜图案区凹陷；非掩膜图案区内设置有固定区，固定区用于固定掩膜版，几何图形位于固定区的相对面。

技术领域

本公开一般涉及掩膜技术领域，尤其涉及一种掩膜版。

背景技术

有机发光二极管(Qrganic Light－emitting Diode，OLED)作为新兴显示与照明技术，成为了研究热点。通常，OLED在制备时采用真空蒸镀方式。实现显示屏的不同分辨率，需要制作出对应数量的像素个数，而像素又由红、绿、蓝三种子像素构成，因此需要分别制作出三种子像素，这就需要掩膜版与基板进行搭配。

在蒸镀过程中，蒸发源会存在一定的蒸镀角，此时要求掩膜版的像素开孔具有的角度要小于等于蒸镀角，才能尽量减少阴影(Shadow)，提高膜层蒸镀精度，减少混色等不良。尤其是随着分辨率的提高，掩膜版上的像素开孔排布也会越来越密集，尺寸也越来越小，又因为有角度限制，导致掩膜版的厚度变得很薄。掩膜版张网时，施加沿掩膜版长边方向的力，易于导致掩膜版产生褶皱、弯曲或扭曲，降低张网精度。

发明内容

本发明人的主要目的在于提供一种掩膜版，提高掩膜版的张网平整度，进而获得优良的掩膜效果。

提供一种掩膜版，包括掩膜图案区以及位于掩膜图案区四周的非掩膜图案区；

掩膜图案区与非掩膜图案区的分界为非直线型几何图形，几何图形向掩膜图案区凹陷；

非掩膜图案区内设置有固定区，固定区用于固定掩膜版，几何图形位于固定区的相对面。

较佳地，几何图形为弧形。

较佳地，几何图形为多边形。

较佳地，掩膜版为矩形，固定区位于掩膜版的长边的两端，掩膜版的长边中心线为几何图形的对称中心线。

较佳地，每个几何图形自身为轴对称图形，对称轴为掩膜版的短边中心线。

较佳地，几何图形各点与其紧邻掩膜版的短边的最小距离应大于200微米。

较佳地，掩膜图案区包括至少一个有效掩膜区，掩膜版的长边中心线为有效掩膜区的对称中心线。

较佳地，掩膜版为矩形，固定区位于掩膜版的短边的两端，掩膜版的短边中心线为几何图形的对称中心线。

较佳地，每个几何图形自身为轴对称图形，对称轴为掩膜版的长边中心线。

较佳地，几何图形各点与其紧邻的掩膜版的长边的最小距离应大于200微米。

根据本申请实施例提供的技术方案，通过将掩膜图案区与非掩膜图案区的分界设置为非直线型几何图形，且该几何图形位于固定区的相对面，能够解决传统的掩膜版易产生褶皱、弯曲或扭曲的问题。进一步的，根据本申请的某些实施例，通过设置几何图形为对称结构，还能解决张网时的受力均匀问题，从而获得张网后的掩膜版的平整性提高的效果。

附图说明

通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述，本申请的其它特征、目的和优点将会变得更明显：

图1示出了根据本申请实施例的现有掩膜版的示例性结构框图；

图2示出了根据本申请第一实施例的掩膜版的示例性结构框图；

图3示出了根据本申请第一实施例的张网后的掩膜版受力的示例性示意图

图4示出了根据本申请第二实施例的掩膜版的示例性结构框图；

图5示出了根据本申请第三实施例的掩膜版的示例性结构框图；