[发明专利]一种介质波导滤波器在审
| 申请号： | 201910822860.6 | 申请日： | 2019-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN110518313A | 公开（公告）日： | 2019-11-29 |
| 发明（设计）人： | 章博;段宗金 | 申请（专利权）人： | 深圳市国人射频通信有限公司 |
| 主分类号： | H01P1/20 | 分类号： | H01P1/20;H01P7/10 |
| 代理公司： | 44303 深圳市盈方知识产权事务所(普通合伙) | 代理人： | 周才淇;黄蕴丽<国际申请>=<国际公布> |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 介质谐振器 下沉区域 反转结构 耦合窗口 耦合极性 导电屏蔽层 滤波器 感性耦合 混合耦合 介质波导 屏蔽区域 容性耦合 非导电 内表面 上表面 延伸 | ||
1.一种介质波导滤波器，包括两个相邻的介质谐振器，其特征在于：所述两个介质谐振器之间形成耦合窗口，所述耦合窗口的上表面设有第一下沉区域，所述第一下沉区域的两端分别延伸至所述两个介质谐振器；所述第一下沉区域的内表面设有导电屏蔽层，第一下沉区域底面的导电屏蔽层上形成有第一耦合极性反转结构，所述第一耦合极性反转结构形成非导电屏蔽区域。
2.根据权利要求1所述的介质波导滤波器，其特征在于：所述第一下沉区域底面的导电屏蔽层通过刻蚀工艺形成所述第一耦合极性反转结构。
3.根据权利要求1所述的介质波导滤波器，其特征在于：所述耦合窗口的下表面设有第二下沉区域，所述第二下沉区域的两端分别延伸至所述两个介质谐振器，所述第二下沉区域的内表面设有导电屏蔽层，第二下沉区域底面的导电屏蔽层上形成有第二耦合极性反转结构，所述第二耦合极性反转结构形成非导电屏蔽区域。
4.根据权利要求3所述的介质波导滤波器，其特征在于：所述第二下沉区域底面的导电屏蔽层通过刻蚀工艺形成所述第二耦合极性反转结构。
5.根据权利要求1所述的介质波导滤波器，其特征在于：所述第一耦合极性反转结构的截面形状为S形、L形、2形、Z形、E形、U形或交齿形。
6.根据权利要求1所述的介质波导滤波器，其特征在于：所述两个介质谐振器的上表面分别设有调谐盲孔，所述第一下沉区域位于两个介质谐振器的调谐盲孔之间。
7.根据权利要求1所述的介质波导滤波器，其特征在于：每个介质谐振器包括介质体以及包覆到介质体外表面的导电屏蔽层，所述第一下沉区域的内表面设置的导电屏蔽层的厚度与包覆到介质体外表面的导电屏蔽层的厚度相等。
8.根据权利要求1所述的介质波导滤波器，其特征在于：所述耦合窗口的两侧壁与所述两个介质谐振器之间分别形成第一空位和第二空位。
9.根据权利要求8所述的介质波导滤波器，其特征在于：所述两个介质谐振器分别为第一介质谐振器和第三介质谐振器，所述介质波导滤波器还包括位于所述第一介质谐振器和第三介质谐振器的连线之外的第二介质谐振器。
10.根据权利要求9所述的介质波导滤波器，其特征在于：所述第二介质谐振器和第一介质谐振器、第三介质谐振器之间分别形成有第三空位、第四空位，所述第二空位、第三空位和第四空位之间相互连通。
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