[发明专利]一种介质波导滤波器

说明书

本发明涉及一种介质波导滤波器，包括两个相邻的介质谐振器，所述两个介质谐振器之间形成耦合窗口，所述耦合窗口的上表面设有第一下沉区域，所述第一下沉区域的两端分别延伸至所述两个介质谐振器；所述第一下沉区域的内表面设有导电屏蔽层，第一下沉区域底面的导电屏蔽层上形成有第一耦合极性反转结构，所述第一耦合极性反转结构形成非导电屏蔽区域。本发明可实现两个相邻的介质谐振器之间的容性耦合，并能减少对Q值的损耗，改变第一耦合极性反转结构的横向尺寸与耦合窗口的宽度的比值，还可实现两个介质谐振器之间的感性耦合或电磁混合耦合。

【技术领域】

本发明涉及微波通信领域，尤其是涉及一种介质波导滤波器。

【背景技术】

滤波器是一种选频器件，常常用在射频系统前端。5G时代来临，系统越来越小，越来越轻。而小型化、高性能、低功耗滤波器又是5G设备小型化的关键。介质波导滤波器相较于传统的波导滤波器具有较大的优势，故在5G通信设备中具有广泛的应用前景。

为了提高介质波导滤波器的频率选择特性，通常采用交叉耦合，使其相位相差180°，从而形成频率响应通带外的极点。在介质波导滤波器中，实现容性耦合的方式一般常用的是一定深度的盲孔来实现。这种方式简单，但会牺牲滤波器一定的Q值，与此同时，对高次谐波有一定的恶化。这种方法无形中增加了器件的设计难度。所以在介质波导中如何实现容性耦合是目前行业内亟需解决的难题。

【发明内容】

本发明的目的在于克服上述技术的不足，提供一种介质波导滤波器，可实现容性耦合，减少了对Q值的损耗，易于加工，降低了加工难度。

本发明提供的一种介质波导滤波器，包括两个相邻的介质谐振器，所述两个介质谐振器之间形成耦合窗口，所述耦合窗口的上表面设有第一下沉区域，所述第一下沉区域的两端分别延伸至所述两个介质谐振器；所述第一下沉区域的内表面设有导电屏蔽层，第一下沉区域底面的导电屏蔽层上形成有第一耦合极性反转结构，所述第一耦合极性反转结构形成非导电屏蔽区域。

进一步地，所述第一下沉区域底面的导电屏蔽层通过刻蚀工艺形成所述第一耦合极性反转结构。

进一步地，所述耦合窗口的下表面设有第二下沉区域，所述第二下沉区域的两端分别延伸至所述两个介质谐振器，所述第二下沉区域的内表面设有导电屏蔽层，第二下沉区域底面的导电屏蔽层上形成有第二耦合极性反转结构，所述第二耦合极性反转结构形成非导电屏蔽区域。

进一步地，所述第二下沉区域底面的导电屏蔽层通过刻蚀工艺形成所述第二耦合极性反转结构。

进一步地，所述第一耦合极性反转结构的截面形状为S形、L形、Z形、E形、U形或交齿形。

进一步地，所述两个介质谐振器的上表面分别设有调谐盲孔，所述第一下沉区域位于两个介质谐振器的调谐盲孔之间。

进一步地，每个介质谐振器包括介质体以及包覆到介质体外表面的导电屏蔽层，所述第一下沉区域的内表面设置的导电屏蔽层的厚度与包覆到介质体外表面的导电屏蔽层的厚度相等。

进一步地，所述耦合窗口的两侧壁与所述两个介质谐振器之间分别形成第一空位和第二空位。

进一步地，所述两个介质谐振器分别为第一介质谐振器和第三介质谐振器，所述介质波导滤波器还包括位于所述第一介质谐振器和第三介质谐振器的连线之外的第二介质谐振器。

进一步地，所述第二介质谐振器和第一介质谐振器、第三介质谐振器之间分别形成有第三空位、第四空位，所述第二空位、第三空位和第四空位之间相互连通。