[发明专利]命令生成方法及与命令生成方法有关的半导体器件有效
申请号: | 201910823365.7 | 申请日: | 2019-09-02 |
公开(公告)号: | CN111435601B | 公开(公告)日: | 2023-08-25 |
发明(设计)人: | 崔谨镐;吴昇昱;郑镇一 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
主分类号: | G11C7/10 | 分类号: | G11C7/10;G11C11/4072 |
代理公司: | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人: | 许伟群;阮爱青 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 命令 生成 方法 有关 半导体器件 | ||
1.一种半导体器件,包括:
命令恢复电路,其被配置为接收来自多个命令中的一个命令,根据所接收到的命令来储存通过对所接收到的来自所述多个命令中的命令进行编码而产生的代码信号,并且在根据移位控制信号而将所接收到的命令移位之后,通过对从所述代码信号产生的命令代码信号进行解码来产生多个内部命令;以及
存储电路,其被配置为根据所述多个内部命令来执行内部操作。
2.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,所述命令代码信号是在以下时间产生的:在产生所述多个内部命令的时间之前的时钟的至少一个周期。
3.根据权利要求1所述的半导体器件,还包括:合成命令发生电路,其被配置为通过将包含所接收到的命令的所述多个命令合成来产生合成命令,
其中,当所述多个命令中的任意一个被所述合成命令发生电路接收到时,所述合成命令发生电路产生被使能的所述合成命令。
4.根据权利要求1所述的半导体器件,还包括:合成命令发生电路,其被配置为通过将包含所接收到的命令的所述多个命令合成来产生合成命令,
其中,所述多个命令包括第一命令至第四命令,并且所述多个内部命令包括第一内部命令至第四内部命令,以及
其中,所述命令恢复电路包括:
命令代码信号发生电路,其被配置为:通过对所述第一命令至所述第四命令进行编码来产生第一代码信号和第二代码信号,根据所述合成命令来储存所述第一代码信号和所述第二代码信号,并且根据预控制信号而从所述第一代码信号和所述第二代码信号产生第一命令代码信号和第二命令代码信号;以及
内部命令发生电路,其被配置为在将所述合成命令移位之后,通过对所述第一命令代码信号和所述第二命令代码信号进行解码来产生所述第一内部命令至所述第四内部命令。
5.根据权利要求4所述的半导体器件,其中,所述命令代码信号发生电路包括:
代码信号发生电路,其被配置为:通过对所述第一命令至所述第四命令进行编码来产生所述第一代码信号和所述第二代码信号;以及
管道电路,其被配置为:当所述合成命令被输入时,储存所述第一代码信号和所述第二代码信号,并且当所述预控制信号被输入时,从所储存的第一代码信号和第二代码信号产生所述第一命令代码信号和所述第二命令代码信号。
6.根据权利要求5所述的半导体器件,其中,所述管道电路包括:
输入控制信号发生电路,其被配置为根据所述合成命令来产生被顺序地使能的第一输入控制信号和第二输入控制信号;
输出控制信号发生电路,其被配置为根据所述预控制信号来产生被顺序地使能的第一输出控制信号和第二输出控制信号;
第一锁存电路,其被配置为:基于所述第一输入控制信号来储存所述第一代码信号和所述第二代码信号,并且基于所述第一输出控制信号来将所储存的第一代码信号和第二代码信号输出作为所述第一命令代码信号和所述第二命令代码信号;以及
第二锁存电路,其被配置为:基于所述第二输入控制信号来储存所述第一代码信号和所述第二代码信号,并且基于所述第二输出控制信号来将所储存的第一代码信号和第二代码信号输出作为所述第一命令代码信号和所述第二命令代码信号。
7.根据权利要求4所述的半导体器件,其中,所述内部命令发生电路包括:
移位电路,其被配置为:通过将所述合成命令移位来产生第一移位信号至第四移位信号;
选择性输出电路,其被配置为:根据第一移位控制信号至第四移位控制信号而从所述第一移位信号至所述第四移位信号中的任意一个产生所述预控制信号,并且通过将所述预控制信号延迟时钟的一个周期来产生选择信号;以及
命令解码器,其被配置为:当所述选择信号被输入时,通过对所述第一命令代码信号和所述第二命令代码信号进行解码来产生所述第一内部命令至所述第四内部命令。
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