[发明专利]命令生成方法及与命令生成方法有关的半导体器件

说明书

本申请公开了一种命令生成方法及与命令生成方法有关的半导体器件。半导体器件包括命令恢复电路，该命令恢复电路被配置为接收来自多个命令中的一个命令，根据所接收到的命令来储存通过对所接收到的来自多个命令中的命令进行编码而产生的代码信号，并且在根据移位控制信号而将所接收到的命令移位之后，通过对从代码信号产生的命令代码信号进行解码来产生多个内部命令；以及存储电路，其被配置为根据多个内部命令来执行内部操作。

相关申请的交叉引用

本申请要求2019年1月15日向韩国知识产权局提交的申请号为10-2019-0005339的韩国专利申请的优先权，其公开内容通过引用整体合并于此。

技术领域

本公开的实施例总体而言可以涉及与内部命令的产生有关的命令生成方法，以及与该命令生成方法有关的半导体器件。

背景技术

在半导体器件中，同步于时钟来输入命令和地址。在DDR(双倍数据速率)同步半导体器件中，同步于时钟的上升沿和下降沿来输入命令和地址。在SDR(单数据速率)同步半导体器件中，同步于时钟的上升沿来输入命令和地址。

半导体器件被实现为包括共享输入/输出线的多个存储排，并执行片上终结(ODT)操作以防止被共享的输入/输出线的信号的反射。因此，增加了用于控制片上终结(ODT)操作的命令。

发明内容

在一个实施例中，一种半导体器件可以包括：命令恢复电路，其被配置为接收来自多个命令中的一个命令，根据所接收到的命令来储存通过对所接收到的来自多个命令中的命令进行编码而产生的代码信号，并且在根据移位控制信号而将所接收到的命令移位之后，通过对从所述代码信号产生的命令代码信号进行解码来产生多个内部命令；以及存储电路，其被配置为根据所述多个内部命令来执行内部操作。

在一个实施例中，一种半导体器件可以包括：合成命令发生电路，其被配置为通过将第一命令至第四命令合成来产生合成命令；命令代码信号发生电路，其被配置为通过对第一命令至第四命令进行编码来产生第一代码信号和第二代码信号，根据所述合成命令来储存第一代码信号和第二代码信号，并且在第二移位时间之后从第一代码信号和第二代码信号产生第一命令代码信号和第二命令代码信号；以及内部命令发生电路，其被配置为在将合成命令移位到第一移位时间之后，通过对第一命令代码信号和第二命令代码信号进行解码来产生第一内部命令至第四内部命令。

在一个实施例中，一种命令生成方法可以包括：当多个命令中的至少任意一个被输入时，产生被使能的合成命令；通过对所述多个命令进行编码来产生代码信号，将代码信号储存在多个锁存电路中，并且在第二移位时间之后从所储存的代码信号产生命令代码信号；以及在将所述合成命令移位到第一移位时间之后，通过对命令代码信号进行解码来产生多个内部命令。

在一个实施例中，一种命令生成方法可以包括：接收来自多个命令中的一个命令；通过对所接收到的来自所述多个命令中的命令进行编码来产生代码信号，将代码信号储存在多个锁存电路中，并且在第二移位时间之后，从所储存的代码信号产生命令代码信号；在将接收到的命令移位到第一移位时间之后，通过对命令代码信号进行解码来产生内部命令；以及根据内部命令来执行内部操作。

附图说明

图1是示出根据一个实施例的半导体器件的配置的示例代表的框图。

图2是示出在图1所示的半导体器件中包括的合成命令发生电路的配置的示例代表的电路图。

图3是示出在图1所示的半导体器件中包括的命令代码信号发生电路的配置的示例代表的框图。

图4是示出在图3所示的命令代码信号发生电路中包括的代码信号发生电路的配置的示例代表的电路图。

图5是示出在图3所示的命令代码信号发生电路中包括的管道电路的配置的示例代表的框图。