[发明专利]电子芯片封装

权利要求书

1.一种器件，包括：

支持件；

导电层，覆盖所述支持件；

半导体芯片，位于所述导电层上，其中所述半导体芯片具有约150微米以下的厚度；以及

绝缘壳体。

2.根据权利要求1所述的器件，其中所述半导体芯片包括集成电子部件的有源表面。

3.根据权利要求1所述的器件，其中所述导电层是金属。

4.根据权利要求1所述的器件，其中所述半导体芯片包括限定雪崩二极管的电极的掺杂区域。

5.根据权利要求1所述的器件，其中所述绝缘壳体限定CSP型封装。

6.根据权利要求1所述的器件，其中所述半导体芯片的厚度小于100微米。

7.根据权利要求1所述的器件，其中所述支持件、所述半导体芯片和所述导电层在二维中具有彼此相同的尺寸和形状。

8.根据权利要求1所述的器件，其中所述支持件、所述半导体芯片和所述导电层形成平行六面体形状的叠层。

9.一种方法，包括：

在半导体晶圆的后表面上形成导电层；

将支持件耦合至所述导电层；

在所述半导体晶圆中形成多个沟槽，使所述半导体晶圆的多个芯片彼此分离；以及

在所述多个芯片、所述导电层和所述支持件周围形成绝缘壳体，其中所述支持件的表面保持从所述绝缘壳体暴露。

10.根据权利要求9所述的方法，包括：在保持从所述绝缘壳体暴露的所述表面处去除所述支持件的一部分。

11.根据权利要求9所述的方法，在形成所述导电层之前，所述方法包括在所述后表面处减薄所述半导体晶圆。

12.根据权利要求11所述的方法，其中所述半导体晶圆被减薄以具有约150微米以下的厚度。

13.根据权利要求9所述的方法，其中将所述支持件耦合至所述导电层包括：使用粘合材料来将所述支持件耦合至所述导电层。

14.根据权利要求9所述的方法，其中形成所述多个沟槽包括：蚀刻所述半导体晶圆、所述导电层和所述支持件。

15.一种半导体封装，包括：

支持件；

半导体芯片，位于所述支持件上；

导电层，位于所述半导体芯片和所述支持件之间，所述支持件、所述半导体芯片和所述导电层具有彼此共面的侧表面；以及

绝缘材料，位于共面的所述侧表面上。

16.根据权利要求15所述的半导体封装，其中所述半导体芯片具有约150微米以下的厚度。

17.根据权利要求15所述的半导体封装，其中所述半导体芯片包括限定雪崩二极管的电极的掺杂区域。

18.根据权利要求15所述的半导体封装，其中所述导电层是金属材料。

19.根据权利要求15所述的半导体封装，其中所述绝缘材料覆盖所述支持件的底表面。

20.根据权利要求19所述的半导体封装，其中除了所述半导体芯片的多个端子，所述绝缘材料覆盖所述半导体芯片的有源表面。