[发明专利]集成电路器件及其制造方法

权利要求书

1.一种制造集成电路器件的方法，包括：

形成栅极电介质，所述栅极电介质包括在第一半导体区域上延伸的第一部分；

形成阻挡层，所述阻挡层包括在所述栅极电介质的所述第一部分上方延伸的第一部分；

形成第一功函数调整层，所述第一功函数调整层包括位于所述阻挡层的所述第一部分上方的第一部分；

将掺杂元素掺杂到所述第一功函数调整层中；

移除所述第一功函数调整层的所述第一部分；

使所述阻挡层的所述第一部分变薄；以及

在所述阻挡层的所述第一部分上方形成功函数层。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一功函数调整层包括氮化钛，并且所述掺杂元素包括铝。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，掺杂所述掺杂元素包括：在沉积所述第一功函数调整层时，原位掺杂铝。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，掺杂所述掺杂元素是在沉积所述第一功函数调整层之后执行的。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，掺杂所述掺杂元素包括：将所述第一功函数调整层热浸泡在含铝气体中。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述栅极电介质还包括在第二半导体区域上延伸的第二部分，所述阻挡层还包括在所述栅极电介质的所述第二部分上方延伸的第二部分，并且所述第一功函数调整层还包括在所述阻挡层的所述第二部分上方延伸的第二部分，并且其中，在所述第一功函数调整层的所述第一部分被移除时，通过蚀刻掩模保护所述第一功函数调整层的所述第二部分不被移除。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，在所述阻挡层的所述第一部分变薄时，通过所述第一功函数调整层的所述第二部分保护所述阻挡层的所述第二部分。

8.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在形成所述第一功函数调整层之前，形成第二功函数调整层；以及

在形成所述第二功函数调整层之后，对所述第二功函数调整层进行图案化以移除所述第二功函数调整层的与所述阻挡层的所述第一部分重叠的部分。

9.一种制造集成电路器件的方法，包括：

沉积阻挡层，所述阻挡层包括分别位于第一晶体管区域和第二晶体管区域中的第一部分和第二部分；

沉积第一氮化钛层，所述第一氮化钛层包括分别与所述阻挡层的所述第一部分和所述第二部分重叠的第一部分和第二部分；

将铝掺杂到所述第一氮化钛层中；

移除所述第一氮化钛层的所述第一部分，并且不移除所述第一氮化钛层的所述第二部分；

部分地蚀刻所述阻挡层以减小所述阻挡层的所述第一部分的厚度，其中，通过所述第一氮化钛层的所述第二部分保护所述阻挡层的所述第二部分；以及

形成功函数层，所述功函数层包括与所述阻挡层的所述第一部分接触的第一部分和与所述第一氮化钛层的所述第二部分接触的第二部分。

10.一种集成电路器件，包括：

半导体区域；

栅极电介质，位于所述半导体区域上方；

阻挡层，位于所述栅极电介质上方；

第一氮化钛层，位于所述阻挡层上方，其中，所述第一氮化钛层中还包括铝；以及

功函数层，位于所述第一氮化钛层上方，其中，所述第一氮化钛层的铝原子百分比高于位于所述第一氮化钛层上面并且与所述第一氮化钛层接触的上覆层中的铝原子百分比，并且高于位于所述第一氮化钛层下面并且与所述第一氮化钛层接触的下卧层中的铝原子百分比。