[发明专利]插塞结构、三维存储器的形成方法和三维存储器

权利要求书

1.一种插塞结构的制作方法，其特征在于，所述方法包括：

采用第一刻蚀工艺对连接层表面的介质层和所述连接层进行刻蚀，形成第一插塞孔；

采用第二刻蚀工艺，沿所述第一插塞孔的内壁进行刻蚀，包括对所述第一插塞孔纵向的刻蚀和底部沿平行于连接层表面方向的刻蚀，形成第二插塞孔；

所述第二插塞孔的孔径大于所述第一插塞孔的孔径；

在所述第二插塞孔内沉积导电材料，形成插塞结构；

所述连接层为衬底或导电层。

2.如权利要求1所述方法，其特征在于，所述第一刻蚀工艺包括：各向异性刻蚀工艺和/或各向同性刻蚀工艺；

所述第二刻蚀工艺包括：各向异性刻蚀工艺和/或各向同性刻蚀工艺。

3.如权利要求1所述方法，其特征在于，所述第一插塞孔包括贯穿所述介质层的第一通孔，和位于所述连接层表面且与所述第一通孔连接的第一接触孔。

4.如权利要求3所述方法，其特征在于，所述采用第一刻蚀工艺对连接层表面的介质层和所述连接层进行刻蚀，形成第一插塞孔，包括：

以所述介质层表面的图形化掩膜层为第一掩膜，刻穿所述介质层，形成所述第一通孔；

将所述第一通孔对应的位置作为掩膜图形，形成第二掩膜；

基于所述第二掩膜刻蚀所述连接层，形成所述第一接触孔。

5.如权利要求3所述方法，其特征在于，所述采用第二刻蚀工艺，沿所述第一插塞孔的内壁进行刻蚀，形成第二插塞孔，包括：

采用第二刻蚀工艺，沿所述第一接触孔的内壁进行刻蚀，形成第二接触孔，所述第二接触孔与所述第一通孔连接形成所述第二插塞孔。

6.如权利要求1至5任一项所述方法，其特征在于，所述第二插塞孔位于所述介质层中的第一部分的孔径，小于所述第二插塞孔位于所述连接层中的第二部分的孔径。

7.一种三维存储器的形成方法，其特征在于，所述方法包括：

采用第一刻蚀工艺对连接层表面的介质层和所述连接层进行刻蚀，形成至少一个第一插塞孔；

采用第二刻蚀工艺，沿每一所述第一插塞孔的内壁进行刻蚀，包括对所述第一插塞孔纵向的刻蚀和底部沿平行于连接层表面方向的刻蚀，形成至少一个第二插塞孔；

所述第二插塞孔的孔径大于所述第一插塞孔的孔径；

在每一所述第二插塞孔内沉积金属材料，形成插塞结构；

对具有所述插塞结构的所述介质层的表面进行平坦化处理，形成所述三维存储器。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述第一刻蚀工艺包括以下任意一种：各向异性刻蚀工艺或各向同性刻蚀工艺；所述第二刻蚀工艺包括以下任意一种：各向异性刻蚀工艺或各向同性刻蚀工艺。

9.一种三维存储器，其特征在于，所述三维存储器包括：

位于连接层之上的介质层；

形成于所述介质层之内的至少一个插塞孔；

所述插塞孔还形成于所述连接层；

位于所述插塞孔之内的插塞结构；

其中，所述插塞结构位于所述连接层中的第二部分的孔径，大于所述插塞结构位于所述介质层中的第一部分的孔径，减小所述插塞结构的底部与所述连接层之间的接触电阻；

沟道区域；

围绕所述沟道区域的阶梯区域；

所述沟道区域和所述阶梯区域中具有至少一个所述插塞结构。

10.根据权利要求9所述三维存储器，其特征在于，还包括远离所述沟道区域和所述阶梯区域的逻辑电路区域；所述逻辑电路区域中具有至少一个所述插塞结构。