[发明专利]成膜装置、成膜方法以及电子器件的制造方法

权利要求书

1.一种成膜装置，具有腔室和移动部件，在该腔室中配置有成膜对象物、和使成膜材料朝向该成膜对象物飞翔而成膜于所述成膜对象物的成膜源，该移动部件使所述成膜源在规定的成膜待命区域与成膜区域之间相对于所述成膜对象物相对移动，其特征在于，

该成膜装置具有：

相向构件，与位于所述成膜待命区域的所述成膜源相向地配置；以及

遮蔽构件，配置在位于所述成膜待命区域的所述成膜源的所述成膜区域的一侧，与所述成膜源一起相对于所述成膜对象物相对移动，

所述遮蔽构件具有配置在基于所述移动构件的所述成膜源的相对移动方向的上游侧的第一遮蔽构件、和配置在基于所述移动构件的所述成膜源的相对移动方向的下游侧的第二遮蔽构件，所述第一遮蔽构件及所述第二遮蔽构件分别具有在所述成膜源位于所述成膜待命区域时以接近的状态与所述相向构件相向的相向端部，

该相向端部的所述成膜源的相对移动方向的宽度比所述成膜源位于所述成膜待命区域时的所述相向端部与所述相向构件之间的最短距离大。

2.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，

所述遮蔽构件具有在与所述成膜源的相对移动方向交叉的方向上延伸的壁部，在该壁部的一端设置有所述相向端部，该相向端部成为宽度比所述壁部的所述成膜源的相对移动方向的厚度宽的延伸部。

3.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，

所述移动部件使所述成膜源和所述遮蔽构件沿着所述成膜对象物的成膜面移动。

4.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，

所述成膜源是溅射阴极。

5.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，

所述成膜源具有磁场产生部件，该磁场产生部件配置在隔着靶与所述成膜对象物相向的位置，所述靶配置在所述腔室内。

6.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，

所述成膜源具有磁场产生部件，该磁场产生部件配置在配置于所述腔室内的圆筒状的靶的内部。

7.根据权利要求6所述的成膜装置，其特征在于，

该成膜装置还具备旋转驱动部，该旋转驱动部驱动所述圆筒状的靶旋转。

8.根据权利要求4所述的成膜装置，其特征在于，

在对所述成膜对象物进行成膜前，在所述成膜待命区域中，使所述成膜源的周围生成等离子体。

9.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，

所述成膜待命区域具有配置在基于所述移动部件的所述成膜源的相对移动方向的上游侧的第一成膜待命区域、和配置在基于所述移动部件的所述成膜源的相对移动方向的下游侧的第二成膜待命区域，

所述相向构件具有在所述第一成膜待命区域中与所述成膜源相向的第一相向构件、和在所述第二成膜待命区域中与所述成膜源相向的第二相向构件。

10.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，

所述第一遮蔽构件所具有的与所述相向构件相向的相向端部从所述成膜源的一侧朝向基于所述移动构件的所述成膜源的相对移动方向的上游侧延伸，

所述第二遮蔽构件所具有的与所述相向构件相向的相向端部从所述成膜源的一侧朝向基于所述移动构件的所述成膜源的相对移动方向的下游侧延伸。

11.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，

在将所述相向端部的所述成膜源的相对移动方向的宽度设为L，将所述相向端部与所述相向构件之间的最短距离设为d1时，满足下述式(1)：

L≥3d1式(1)。

12.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，

在将所述相向端部的所述成膜源的相对移动方向的宽度设为L，将所述相向端部与所述相向构件之间的最短距离设为d1时，满足下述式(2)：

L≥5d1式(2)。