[发明专利]检测系统以及检测方法在审
申请号: | 201910825811.8 | 申请日: | 2019-09-03 |
公开(公告)号: | CN112447537A | 公开(公告)日: | 2021-03-05 |
发明(设计)人: | 李文宗 | 申请(专利权)人: | 德律科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国 |
地址: | 中国台湾台北*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 检测 系统 以及 方法 | ||
一种检测系统以及检测方法。检测系统包含一待测装置、一第一摄像装置以及一处理器。待测装置包含至少一晶片、一第一金线以及一第二金线。第一金线以及第二金线设置于该至少一晶片上。第一摄像装置对待测装置进行拍摄以产生多张影像。处理器依据所述多张影像产生待测装置的多个三维影像。处理器依据所述多个三维影像判断第一金线与第二金线之间的距离。借此,可解决因光轴方向遮蔽而无法检测多层金线之间是否过于接近的问题。
技术领域
本揭示中所述实施例内容是有关于一种检测技术,特别关于一种可应用于半导体检测的检测系统以及检测方法。
背景技术
在晶片封装过程中通常会注入封装胶。由于封装胶具有粘滞性,可能会使得过于接近的两金线接触而发生短路。另外,随着半导体技术的发展,越来越多的晶片堆叠。这也会使得任意两相邻金线过于接近易发生短路的机率变高。在目前技术中,仅能针对单层的金线进行检测。然而,如何检测多层的金线是否过于接近,亦是本领域重要的议题之一。
发明内容
本揭示的一些实施方式是关于一种检测系统。检测系统包含一待测装置、一第一摄像装置以及一处理器。待测装置包含至少一晶片、一第一金线以及一第二金线。第一金线以及第二金线设置于该至少一晶片上。第一摄像装置对待测装置进行拍摄以产生多张影像。处理器依据所述多张影像产生待测装置的多个三维影像。处理器依据所述多个三维影像判断第一金线与第二金线之间的距离。
在一些实施例中,处理器控制第一摄像装置沿一方向移动,以使第一摄像装置分别在该方向上的多个位置对待测装置进行拍摄以产生所述多张影像。处理器基于一聚焦测距演算法使用所述多张影像产生所述多个三维影像。
在一些实施例中,该至少一晶片设置于一电路板上。该方向与电路板的延伸平面垂直。
在一些实施例中,第一摄像装置包含一镜头组件以及一影像感测器。镜头组件搭配影像感测器设置。检测系统还包含一光源以及一狭缝。狭缝搭配光源设置以使一照射光的照射范围落于镜头组件的景深范围。
在一些实施例中,检测系统还包含一第二摄像装置。处理器控制第一摄像装置以及第二摄像装置同步地移动,以使第一摄像装置以及第二摄像装置对待测装置进行拍摄。第二镜头组件的聚焦位置与第一镜头组件的聚焦位置相同。
在一些实施例中,第一摄像装置包含一镜头组件以及一影像感测器。镜头组件搭配影像感测器设置。镜头组件包含一第一反射镜以及一第二反射镜。当第一金线位于镜头组件的景深范围时,来自第一金线的反射光依序被第二反射镜以及第一反射镜反射后被影像感测器接收。来自第二金线的反射光被镜头组件内的一吸光材料吸收。
在一些实施例中,第一金线以及第二金线分别设置于两晶片上。
本揭示的一些实施方式是关于一种检测方法。检测方法包含:通过一摄像装置对一待测装置进行拍摄以产生多张影像,其中待测装置包含至少一晶片、一第一金线以及一第二金线,第一金线以及第二金线设置于该至少一晶片上;通过一处理器依据所述多张影像产生待测装置的多个三维影像;以及通过处理器依据所述多个三维影像判断第一金线与第二金线之间的距离。
在一些实施例中,通过处理器产生所述多个三维影像的步骤包含:通过处理器基于一聚焦测距演算法使用所述多张影像产生所述多个三维影像。
在一些实施例中,通过摄像装置产生所述多张影像的步骤包含:通过处理器控制摄像装置沿一方向移动,以使摄像装置分别在该方向上的多个位置对待测装置进行拍摄以产生所述多张影像。
综上所述,通过本揭示中的检测系统以及检测方法,可解决因光轴方向遮蔽而无法检测多层金线之间是否过于接近的问题。
附图说明
为让本揭示的上述和其他目的、特征、优点与实施例能够更明显易懂,所附附图的说明如下:
图1A是依照本揭示一些实施例所绘示一检测系统的示意图;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造