[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底；

在所述基底上形成第一电极层；

在所述第一电极层上形成一个或多个相隔离的叠层结构，所述叠层结构包括电容介质层以及位于所述电容介质层上的第二电极层；

形成黏附层以及保形覆盖所述黏附层的刻蚀停止层，所述黏附层覆盖所述叠层结构的侧壁表面和顶部、以及所述第一电极层的部分表面；

形成覆盖所述刻蚀停止层和所述第一电极层的介电层；

形成贯穿所述介电层、刻蚀停止层和黏附层且与所述第一电极层相接触的第一导电插塞，以及贯穿所述介电层、刻蚀停止层和黏附层且与所述第二电极层相接触的第二导电插塞。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述刻蚀停止层为单层结构，所述刻蚀停止层的材料通过原子层沉积工艺形成；

或者，所述刻蚀停止层为多层结构，所述刻蚀停止层包括位于所述黏附层表面的第一刻蚀停止层和位于所述第一刻蚀停止层上的第二刻蚀停止层，所述第一刻蚀停止层的材料通过原子层沉积工艺形成。

3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一刻蚀停止层的厚度为1纳米至10纳米。

4.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一刻蚀停止层的材料包括氮化硅、氮氧化硅、含碳氮化硅、或碳氮化硅硼。

5.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述黏附层的厚度是所述刻蚀停止层厚度的十分之一至五分之一。

6.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述黏附层的材料包括氧化硅。

7.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述黏附层和所述刻蚀停止层的步骤包括：形成初始黏附层，保形覆盖所述叠层结构的顶面和侧壁、以及所述第一电极层；

形成保形覆盖所述初始黏附层的初始刻蚀停止层；

去除位于第一电极层上的部分所述初始刻蚀停止层和部分所述初始黏附层，剩余所述初始黏附层作为所述黏附层，剩余所述初始刻蚀停止层作为所述刻蚀停止层。

8.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用等离子体增强化学气相沉积工艺或原子层沉积工艺形成所述初始黏附层。

9.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用沉积工艺形成所述初始黏附层，所述沉积工艺的工艺温度小于或等于350℃。

10.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述叠层结构的步骤中，所述叠层结构上还形成有应力缓冲层。

11.如权利要求10所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述叠层结构和所述应力缓冲层的步骤包括：形成保形覆盖所述第一电极层的初始介质层、以及位于所述初始介质层上的初始电极层；

在所述初始电极层上形成应力缓冲膜；

在所述应力缓冲膜上形成掩膜层；

以所述掩膜层为掩膜，依次刻蚀所述应力缓冲膜、初始电极层和初始介质层，剩余所述初始电极层作为所述第二电极层，剩余所述初始介质层作为所述电容介质层；

其中，剩余所述应力缓冲膜作为所述应力缓冲层。

12.如权利要求10所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述黏附层与所述应力缓冲层的材料相同。