[发明专利]提高系统DRAM可靠性的方法、装置和存储介质

权利要求书

1.一种提高系统DRAM可靠性的方法，其特征在于，所述提高系统DRAM可靠性的方法包括以下步骤：

获得DRAM的表现电压，对所述表现电压的电压值进行可靠性校验；

根据可靠性校验的验证结果计算DRAM理想模型下的供电电压的电压偏差值；

根据所述电压偏差值对所述DRAM的供电电压进行调整。

2.如权利要求1所述的提高系统DRAM可靠性的方法，其特征在于，所述根据所述电压偏差值对所述DRAM的供电电压进行调整的步骤之后包括：

在对所述DRAM的供电电压进行调整后，重新对所述表现电压的电压值进行可靠性校验；

若校验结果是失败，则返回步骤：根据可靠性校验的验证结果计算DRAM理想模型下的电压偏差值。

3.如权利要求1或2所述的提高系统DRAM可靠性的方法，其特征在于，所述根据可靠性校验的验证结果计算DRAM理想模型下的供电电压的电压偏差值的步骤包括：

若所述校验结果是失败，则对所述供电电压的电压测试值增加一个预设电压增量值，获得新的供电电压的电压测试值。

4.如权利要求1或2所述的提高系统DRAM可靠性的方法，其特征在于，所述根据可靠性校验的验证结果计算DRAM理想模型下的供电电压的电压偏差值的步骤还包括：

若所述校验结果是成功，则对所述供电电压的电压测试值减少一个预设电压减少值，获得新的供电电压的电压测试值。

5.如权利要求1所述的提高系统DRAM可靠性的方法，其特征在于，所述提高系统DRAM可靠性的方法还包括：

获得DRAM的供电电容值，按照预设规则调整DRAM的供电电容值获得调整后的DRAM电容值，直到调整后的DRAM电容对应的表现电压大于或等于预设门限电压。

6.如权利要求5所述的提高系统DRAM可靠性的方法，其特征在于，所述获得DRAM的供电电容值，按照预设规则调整DRAM的供电电容值获得调整后的DRAM电容值，直到调整后的DRAM电容对应的表现电压大于或等于预设门限电压的步骤包括：

根据所述电压偏差值确定所述DRAM的供电电压值是否变化；

若所述DRAM的供电电压值变化，则将所述DRAM的电容值减少一个预设电容减少值，获得调整后的电容测试值，并对调整后的电容进行可靠性校验；

若所述可靠性校验结果为所述表现电压小于预设门限电压，则返回步骤：将所述DRAM的电容值减少一个预设电容减少值，获得调整后的电容测试值，并对调整后的电容进行可靠性校验，直到调整后的DRAM电容对应的表现电压大于或等于预设门限电压。

7.如权利要求6所述的提高系统DRAM可靠性的方法，其特征在于，所述获得DRAM的供电电容值，按照预设规则调整DRAM的供电电容值获得调整后的DRAM电容值，直到调整后的DRAM电容对应的表现电压大于或等于预设门限电压的步骤还包括：

若所述DRAM的供电电压值不变化，则将所述DRAM的电容值增加一个预设电容增加值，获得调整后的电容测试值，并对调整后的电容进行可靠性校验；

若所述可靠性校验结果为所述表现电压大于或等于预设门限电压，则返回步骤：将所述DRAM的电容值增加一个预设电容增加值，获得调整后的电容测试值，并对调整后的电容进行可靠性校验，直到调整后的DRAM电容对应的表现电压小于预设门限电压。

8.如权利要求5-7中任一项所述的提高系统DRAM可靠性的方法，其特征在于，所述电容为可变电容。

9.一种提高系统DRAM可靠性的装置，其特征在于，所述提高系统DRAM可靠性的装置包括：存储器、处理器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的提高系统DRAM可靠性的程序，所述提高系统DRAM可靠性的程序被所述处理器执行时实现如权利要求1至8中任一项所述提高系统DRAM可靠性的方法的步骤。

10.一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述计算机可读存储介质上存储有提高系统DRAM可靠性的程序，所述提高系统DRAM可靠性的程序被处理器执行时实现如权利要求1至8中任一项所述提高系统DRAM可靠性的方法的步骤。