[发明专利]提高系统DRAM可靠性的方法、装置和存储介质

说明书

本发明公开了一种提高系统DRAM可靠性的方法。该方法包括：获得DRAM的表现电压，对所述表现电压的电压值进行可靠性校验；根据可靠性校验的验证结果计算DRAM理想模型下的供电电压的电压偏差值；根据所述电压偏差值对所述DRAM的供电电压进行调整。本发明还公开了一种提高系统DRAM可靠性的装置及计算机可读存储介质。本发明能够实现使系统DRAM具有更高的可靠性。

技术领域

本发明涉及电子器件领域，尤其涉及一种提高系统DRAM可靠性的方法、装置和计算机可读存储介质。

背景技术

DRAM(Dynamic Random Access Memory)，即动态随机存取存储器，是一种常见的系统内存。动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)主要的作用原理是利用内存储的多寡来代表一个(bit)是1还是0。现阶段，随着互联网和智能设备的普及，用户对DRAM的速率、功耗和可靠性提出了更高的要求。

然而，现阶段，DRAM主要是通过在DRAM器件内设置电压耦合/去耦合器件，以改善感测放大器的偏置感测来达到保证DRAM可靠性的目的。然而，这种控制方式改善程度有限，使得DRAM可靠性还是存在不稳定的情况。

发明内容

本发明的主要目的在于提供一种提高系统DRAM可靠性的方法、装置和计算机可读存储介质，旨在实现使系统DRAM具有更高的可靠性。

为实现上述目的，本发明提供一种提高系统DRAM可靠性的方法，所述提高系统DRAM可靠性的方法包括以下步骤：

获得DRAM的表现电压，对所述表现电压的电压值进行可靠性校验；

根据可靠性校验的验证结果计算DRAM理想模型下的供电电压的电压偏差值；

根据所述电压偏差值对所述DRAM的供电电压进行调整。

可选地，所述根据所述电压偏差值对所述DRAM的供电电压进行调整的步骤包括：

在对所述DRAM的供电电压进行调整后，重新对所述表现电压的电压值进行可靠性校验；

若校验结果是失败，则返回步骤：根据可靠性校验的验证结果计算DRAM理想模型下的电压偏差值。

可选地，所述根据可靠性校验的验证结果计算DRAM理想模型下的供电电压的电压偏差值的步骤包括：

若所述校验结果是失败，则对所述供电电压的电压测试值增加一个预设电压增量值，获得新的供电电压的电压测试值。

可选地，所述根据可靠性校验的验证结果计算DRAM理想模型下的供电电压的电压偏差值的步骤还包括：

若所述校验结果是成功，则对所述供电电压的电压测试值减少一个预设电压减少值，获得新的供电电压的电压测试值。

可选地，所述提高系统DRAM可靠性的方法还包括：

获得DRAM的供电电容值，按照预设规则调整DRAM的供电电容值获得调整后的DRAM电容值，直到调整后的DRAM电容对应的表现电压大于或等于预设门限电压。

可选地，所述获得DRAM的供电电容值，按照预设规则调整DRAM的供电电容值获得调整后的DRAM电容值，直到调整后的DRAM电容对应的表现电压大于或等于预设门限电压的步骤包括：

根据所述电压偏差值确定所述DRAM的供电电压值是否变化；

若所述DRAM的供电电压值变化，则将所述DRAM的电容值减少一个预设电容减少值，获得调整后的电容测试值，并对调整后的电容进行可靠性校验；