[发明专利]一种三维存储器件及其制作方法

权利要求书

1.一种三维存储器件，其特征在于，包括：

第一电压走线，所述第一电压走线沿第一方向延伸；

第二电压走线，与所述第一电压走线位于同一直线上，且所述第二电压走线的电压低于所述第一电压走线的电压；

多条虚设走线，分布于所述第一电压走线与所述第二电压走线的两侧，其中，任意一条与所述第一电压走线及所述第二电压走线相邻的所述虚设走线满足第一条件及第二条件中的任意一种，所述第一条件为所述虚设走线仅与所述第一电压走线及所述第二电压走线其中之一在第二方向上有相对部分，所述第二条件为所述虚设走线与所述第一电压走线及所述第二电压走线在第二方向上均没有相对部分，所述第二方向与所述第一方向垂直；

其中，所述三维存储器件还包括至少一中心虚设走线，所述中心虚设走线与所述第一电压走线及所述第二电压走线位于同一直线上，并位于所述第一电压走线与所述第二电压走线之间。

2.根据权利要求1所述的三维存储器件，其特征在于：多条所述虚设走线包括与所述第一电压走线及所述第二电压走线相邻的第一虚设走线、第二虚设走线、第三虚设走线及第四虚设走线，所述第一虚设走线与所述第二虚设走线位于同一直线上，所述第三虚设走线与所述第四虚设走线位于同一直线上，所述第一虚设走线与所述第三虚设走线分别位于所述第一电压走线的相对两侧并与所述第一电压走线在所述第二方向上有相对部分，所述第二虚设走线与所述第四虚设走线分别位于所述第二电压走线的相对两侧并与所述第二电压走线在所述第二方向上有相对部分。

3.根据权利要求2所述的三维存储器件，其特征在于：所述第一虚设走线、所述第二虚设走线、所述第三虚设走线及所述第四虚设走线均与所述中心虚设走线在所述第二方向上有相对部分。

4.根据权利要求3所述的三维存储器件，其特征在于：多条所述虚设走线还包括第五虚设走线，所述第五虚设走线与所述第三虚设走线及所述第四虚设走线位于同一直线上，且所述第五虚设走线位于所述第三虚设走线与所述第四虚设走线之间。

5.根据权利要求2所述的三维存储器件，其特征在于：所述第一虚设走线及所述第四虚设走线均与所述中心虚设走线在所述第二方向上没有相对部分，所述第二虚设走线及所述第三虚设走线均与所述中心虚设走线在所述第二方向上有相对部分。

6.根据权利要求5所述的三维存储器件，其特征在于：多条所述虚设走线还包括第五虚设走线，所述第五虚设走线与所述第三虚设走线及所述第四虚设走线位于同一直线上，且所述第五虚设走线位于所述第三虚设走线与所述第四虚设走线之间。

7.根据权利要求1所述的三维存储器件，其特征在于：所述三维存储器件中设有页面缓冲高压NMOS晶体管，所述晶体管的漏极通过第一接触部连接于所述第一电压走线下方，所述晶体管的源极通过第二接触部连接于所述第二电压走线下方。

8.根据权利要求1所述的三维存储器件，其特征在于：所述第一电压走线的电压大于或等于20 V，所述第二电压走线的电压小于或等于10 V。

9.根据权利要求1所述的三维存储器件，其特征在于：所述三维存储器件还包括第三电压走线，所述第三电压走线的电压等于所述第二电压走线的电压，所述第三电压走线与所述第二电压走线平行，且所述第三电压走线与所述第二电压走线之间通过至少一所述虚设走线间隔。

10.根据权利要求9所述的三维存储器件，其特征在于：所述第三电压走线与所述第二电压走线通过至少一所述虚设走线及至少两个连接部连接，且至少一所述连接部的两侧分别与所述第二电压走线及一所述虚设走线连接，至少一所述连接部的两侧分别与一所述虚设走线及所述第三电压走线连接。