[发明专利]一种提高高压器件抗辐照性能的方法

权利要求书

1.一种提高高压器件抗辐照性能的方法，其特征在于，包括：

提供P型衬底，在所述P型衬底上依次形成外延硅层、二氧化硅层和阻挡层；

刻蚀形成STI隔离槽，对所述STI隔离槽底部注入BF2，侧壁注入In；

生长SiO2/SIPOS/SiO2夹层结构的薄膜；

填充HDP介质，进行高温退火处理，对HDP介质进行平坦化；

进行阱注入、栅氧生长、多晶生长及刻蚀、轻掺杂漏注入、侧墙生长刻蚀以及源漏注入，后续工艺遵循通用的0.18μm闪存工艺制程。

2.如权利要求1所述的提高高压器件抗辐照性能的方法，其特征在于，所述P型衬底的电阻率为8～12Ω·cm；所述外延硅层的厚度为6.0～7.0μm。

3.如权利要求1所述的提高高压器件抗辐照性能的方法，其特征在于，所述阻挡层包括衬垫氧化层和氮化硅层。

4.如权利要求3所述的提高高压器件抗辐照性能的方法，其特征在于，生长SiO2/SIPOS/SiO2夹层结构的薄膜包括：

首先通过热氧化生长一层膜；

使用LPCVD生长的SIPOS膜，生长温度控制为640～680℃，压力控制在0.20～0.22Torr，生长气体为SiH4和N2O，气体原子个数之比为SiH4：N2O＝1:0.2～1:0.25；

SIPOS膜生长完成后，仅改变气体原子个数比为SiH4：N2O1:2，生长出另外一层的SiO2膜。

5.如权利要求4所述的提高高压器件抗辐照性能的方法，其特征在于，进行介质平坦化包括：

第一步，研磨HDP介质，停在所述SIPOS膜上；

第二步，切换研磨液，去除所述SIPOS膜，研磨部分氮化硅层并停在所述氮化硅层上；

最后，使用STI湿法完全去除所述氮化硅层。

6.如权利要求1所述的提高高压器件抗辐照性能的方法，其特征在于，对所述STI隔离槽侧壁注入In的剂量为5E13cm^-2，能量为150KeV；对所述STI隔离槽底部注入BF2的剂量为2E13cm^-2，能量为50KeV。