[发明专利]存储器装置和读取数据的方法

权利要求书

1.一种非易失性存储器，包括：

存储器单元区域，其包括靠近所述存储器单元区域的第一端的外部区域和通过所述外部区域与所述第一端分开的内部区域；

第一位线和第二位线；

外部存储器单元串，其包括连接到外部柱的存储器单元，所述外部柱竖直向上延伸通过所述外部区域；

内部存储器单元串，其包括连接到内部柱的存储器单元，所述内部柱竖直向上延伸通过所述内部区域；以及

数据输入/输出电路，其包括：

页面缓冲器电路，在针对所述外部存储器单元串的存储器单元的第一读取操作期间，所述页面缓冲器电路连接所述第一位线，并且在针对所述内部存储器单元串的存储器单元的第二读取操作期间，所述页面缓冲器电路连接所述第二位线；以及

读取电压确定单元，其选择在所述第一读取操作期间使用的第一最佳读取电压和在所述第二读取操作期间使用的第二最佳读取电压。

2.根据权利要求1所述的非易失性存储器，其中，所述第一位线和所述第二位线是在所述存储器单元区域的上表面上方延伸的成对位线。

3.根据权利要求2所述的非易失性存储器，其中，所述页面缓冲器电路包括：

在所述第一读操作期间连接到所述第一位线的第一页面缓冲器；以及

在所述第二读操作期间连接到所述第二位线的第二页面缓冲器。

4.根据权利要求1所述的非易失性存储器，其中，所述存储器单元区域还包括在第一水平方向上延伸的竖直堆叠的多条字线，并且

所述第一位线和所述第二位线在第二水平方向上延伸。

5.根据权利要求1所述的非易失性存储器，还包括：

控制逻辑，所述控制逻辑控制所述数据输入/输出电路以执行独立于所述第二读取操作的所述第一读取操作。

6.根据权利要求5所述的非易失性存储器，其中，所述控制逻辑控制所述数据输入/输出电路以同时执行所述第一读取操作和所述第二读取操作。

7.根据权利要求1所述的非易失性存储器，其中，所述外部存储器单元串是多个外部存储器单元串中的一个，每个外部存储器单元串包括连接到向上延伸通过所述外部区域的相应的外部柱的存储器单元，并且所述内部存储器单元串是多个内部存储器单元串中的一个，每个内部存储器单元串包括连接到向上延伸通过所述内部区域的相应的内部柱的存储器单元，

每个外部柱的中心设置在距所述第一端至少第一距离处，并且每个内部柱的中心设置在距所述第一端至少第二距离处，并且

所述第二距离大于所述第一距离。

8.根据权利要求7所述的非易失性存储器，其中，

所述相应的外部柱共同布置在在第一水平方向上延伸的第一柱行中，

所述相应的内部柱共同布置在在所述第一水平方向上延伸的第二柱行中，

所述第一柱行和所述第二柱行以交错行布置的方式设置，并且

所述第一位线和所述第二位线在第二水平方向上延伸。

9.根据权利要求1所述的非易失性存储器，其中，所述非易失性存储器是竖直NAND闪存，所述外部存储器单元串是连接在所述第一位线和公共源极线之间的第一NAND串，并且所述内部存储器单元串是连接在所述第二位线和所述公共源极线之间的第二NAND串。

10.根据权利要求9所述的非易失性存储器，其中，所述第一NAND串在所述第一位线和所述公共源极线之间具有第一连接电阻，并且所述第二NAND串在所述第二位线和所述公共源极线之间具有与所述第一连接电阻不同的第二连接电阻。