[发明专利]存储器装置和读取数据的方法

说明书

提供一种非易失性存储器和一种竖直NAND闪存。所述非易失性存储器包括：存储器单元区域，包括靠近存储器单元区域的第一端的外部区域和通过外部区域与第一端分开的内部区域；第一位线和第二位线；外部存储器单元串，包括连接到延伸通过外部区域的外部柱的存储器单元；内部存储器单元串，包括连接到延伸通过内部区域的内部柱的存储器单元；以及数据输入/输出电路。数据输入/输出电路包括：页面缓冲器电路，在第一读取操作期间，页面缓冲器电路连接第一位线，并且在第二读取操作期间，页面缓冲器电路连接第二位线；以及读取电压确定单元，选择在第一读取操作期间使用的第一最佳读取电压和在第二读取操作期间使用的第二最佳读取电压。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2018年9月20日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2018-0113034的优先权，其主题通过引用并入本文。

技术领域

本发明构思一般地涉及存储器装置。更具体地，本发明构思的某些实施例涉及使用多个候选读取电压之一执行读取操作的非易失性存储器装置。

背景技术

半导体存储器装置可以根据它们在断电时是否保留存储的数据而大致分为两个类别。这些类别包括在断电时丢失存储数据的易失性存储器装置以及在断电时保留存储数据的非易失性存储器装置。易失性存储器装置的示例包括静态随机存取存储器(SRAM)和动态随机存取存储器(DRAM)，并且非易失性存储器装置的示例包括闪存装置和只读存储器(ROM)。

在非易失性存储器中，近年来由于诸如相对低成本、高存储容量、低功耗、快速访问速度和抵抗物理冲击的能力等吸引人的特征，闪存装置已经越来越受欢迎。

取决于存储器的设计，闪存的存储器单元可以存储一位数据或多位数据。在存储器单元存储一位数据的情况下，其可具有与表示数据“1”和数据“0”的两个阈值电压状态之一相对应的阈值电压。在存储器单元存储两位数据的情况下，其可具有与表示数据“11”、“10”等的四个阈值电压状态之一相对应的阈值电压。在存储器单元存储三位数据的情况下，其可具有与表示数据“111”、“110”等的八个阈值电压状态之一相对应的阈值电压。

可以在读取操作期间询问或“读取”存储特定数据值的一个或多个存储器单元。可以根据构成存储器装置的性能特性来不同地定义读取操作。然而，通常通过选择性地将一个或多个控制电压施加到包括待读取的存储器单元的存储器单元阵列的各个组件来执行读取操作。准确定义和应用适当的读取电压是读取操作定义中的重要考虑因素。

发明内容

本发明构思的实施例提供了在读取操作期间提供改进的性能的存储器装置。

在一个实施例中，本发明构思提供了一种非易失性存储器，包括：存储器单元区域，其包括靠近存储器单元区域的第一端的外部区域和通过外部区域与第一端分开的内部区域；第一位线和第二位线；外部存储器单元串，其包括连接到外部柱的存储器单元，外部柱竖直向上延伸通过外部区域；内部存储器单元串，其包括连接到内部柱的存储器单元，内部柱竖直向上延伸通过内部区域；以及数据输入/输出(I/O)电路。数据I/O电路包括：页面缓冲器电路，在针对外部存储器单元串的存储器单元的第一读取操作期间，页面缓冲器电路连接第一位线，并且在针对内部存储器单元串的存储器单元的第二读取操作期间，页面缓冲器电路连接第二位线；以及读取电压确定单元，其选择在第一读取操作期间使用的第一最佳读取电压和在第二读取操作期间使用的第二最佳读取电压。