[发明专利]一种晶片翘曲度的测量方法

权利要求书

1.一种晶片翘曲度的测量方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤一：获取参考点阵图像数据：照射在参考晶片边缘的边际线的光线反射到图像采集元件上，并被图像采集元件采集得到参考点阵图像，并且通过控制终端将参考点阵图像中各关键点坐标数据存储为参考点阵图像数据；

步骤二：获取被测点阵图像数据：照射在被测晶片边缘的边际线的光线反射到图像采集元件上，并被图像采集元件采集得到被测点阵图像，并且通过控制终端将被测点阵图像中各关键点坐标数据存储为被测点阵图像数据；

步骤三：控制终端通过分析计算参考点阵图像数据以绘制出参考晶片边际线轮廓，控制终端通过分析计算被测点阵图像数据以绘制出被测晶片边际线轮廓，计算被测晶片边际线轮廓相对于参考晶片边际线轮廓的偏移量，就可得出晶片的翘曲度值(Warp值＝波峰a+波谷b)，以来分析判断晶片边缘的整体形态。

2.根据权利要求1所述的一种晶片翘曲度的测量方法，其特征在于：所述步骤二的具体步骤为：光源(6)反射出的光线经反射镜(5)、分光镜(2)后，照射在水平转动的被测晶片(1)边缘的边际线上；被测晶片(1)表面发生漫反射，经分光镜(2)接收反射光，并将反射光聚焦到图像采集元件(3)上，图像采集元件(3)通过其内的光电二极管的光电效应，将不同像素的电信号传输给其内的图像采集卡，图像采集卡再转换为对应的灰度值，之后累积为被测点阵图像输出到计算机(4)。

3.根据权利要求1所述的一种晶片翘曲度的测量方法，其特征在于：所述晶片边缘的边际线由表面边际线和底部边际线组成。

4.根据权利要求1所述的一种晶片翘曲度的测量方法，其特征在于：照射在参考晶片上的光线和照射在被测晶片上的光线为相同光线，且该光线由LED光源发射出，其中光线的波长为535nm、带宽为30nm。

5.根据权利要求1所述的一种晶片翘曲度的测量方法，其特征在于：所述图像采集元件为CCD相机或CMOS感光元件。