[发明专利]一种晶片翘曲度的测量方法

说明书

本发明公开了一种晶片翘曲度的测量方法，包括以下步骤：先获取参考点阵图像数据，再获取被测点阵图像数据，最后控制终端通过分析计算参考点阵图像数据以绘制出参考晶片边际线轮廓，控制终端通过分析计算被测点阵图像数据以绘制出被测晶片边际线轮廓，计算被测晶片边际线轮廓相对于参考晶片边际线轮廓的偏移量，就可得出晶片的翘曲度值，以来分析判断晶片边缘的整体形态。采用上述技术方案后，采用影像方式撷取晶片边际线的方式计算，可节省雷射光束的机构建置成本，同时CCD相机可与外观检验同时使用，可降低检验与量测机台的成本，更有利于业界所需；能够对成叠的晶片外观进行快速的检测，检验效率提高了30％以上。

技术领域

本发明涉及一种晶片翘曲度的测量方法。

背景技术

现行晶片量测翘曲度多以表面面型扫描分析所求得，检测机台需以机械手臂(robot)取出晶片后，再将晶片放置载台上，以感知器(sensor)进行采集讯号，再将其讯号转至交换器进行分析，并求得各项晶片特性参数，如Thickness,TTV(Total ThicknessVariation),Warp,Bow等。此虽然可以获得较精准的晶片数值，但过程中因手臂需1片1片的进行取出量测，量测效率低，且因手臂的搬运容易造成晶片与晶舟(cassette)接触滑动所产生的脏污与静电等，使量测分析过程应可更加优化。

晶片边缘处也需检验崩角(chipping)或裂痕(crack)等，目前的技术多以影像识别的方式进行，但由于晶片分为上表面、下表面以及端面三个部分，故在架设镜头(CCD)取样时，需使用3颗镜头去撷取边缘的影像再进行判断，花费成本较高。

发明内容

针对上述问题，本发明提供了一种晶片翘曲度的测量方法。

为解决上述技术问题，本发明所采用的技术方案是：一种晶片翘曲度的测量方法，包括以下步骤：

步骤一：获取参考点阵图像数据：照射在参考晶片边缘的边际线的光线反射到图像采集元件上，并被图像采集元件采集得到参考点阵图像，并且通过控制终端将参考点阵图像中各关键点坐标数据存储为参考点阵图像数据；

步骤二：获取被测点阵图像数据：照射在被测晶片边缘的边际线的光线反射到图像采集元件上，并被图像采集元件采集得到被测点阵图像，并且通过控制终端将被测点阵图像中各关键点坐标数据存储为被测点阵图像数据；

步骤三：控制终端通过分析计算参考点阵图像数据以绘制出参考晶片边际线轮廓，控制终端通过分析计算被测点阵图像数据以绘制出被测晶片边际线轮廓，计算被测晶片边际线轮廓相对于参考晶片边际线轮廓的偏移量，就可得出晶片的翘曲度值(Warp值＝波峰a+波谷b)，以来分析判断晶片边缘的整体形态。

进一步的，所述步骤二的具体步骤为：光线经反射镜、分光镜后，照射在水平转动的被测晶片边缘的边际线上；被测晶片表面发生漫反射，经分光镜接收反射光，并将反射光聚焦到图像采集元件上，图像采集元件通过其内的光电二极管的光电效应，将不同像素的电信号传输给其内的图像采集卡，图像采集卡再转换为对应的灰度值，之后累积为被测点阵图像输出到计算机。

进一步的，所述晶片边缘的边际线由表面边际线和底部边际线组成。

进一步的，照射在参考晶片上的光线和照射在被测晶片上的光线为相同光线，且该光线由LED光源发射出，其中光线的波长为535nm、带宽为30nm。

进一步的，所述图像采集元件为CCD相机或CMOS感光元件。

由上述对本发明结构的描述可知，和现有技术相比，本发明具有如下优点：

1、本发明提供的一种晶片翘曲度的测量方法，采用影像方式撷取晶片边际线的方式计算，可节省雷射光束的机构建置成本，同时CCD相机可与外观检验同时使用，可降低检验与量测机台的成本，更有利于业界所需。