[发明专利]溅射装置及溅射装置控制方法

权利要求书

1.一种溅射装置控制方法，该溅射装置利用以第一轴方向为基准时生成在基板与靶之间的等离子体进行溅射工艺，其特征在于，包括：

等离子体值获取步骤，对沿垂直于所述第一轴方向的第二轴方向配置的多个模块区域分别测量等离子体的强度，并且以分别垂直于所述第一轴方向和所述第二轴方向的上下方向为基准，对各个所述模块区域，按照上部区域、中间区域以及下部区域分别测量等离子体的强度，以获取多个所述上部区域的多个上部等离子体值、多个所述中间区域的多个中间等离子体值、多个所述下部区域的多个下部等离子体值；

基准值设定步骤，按照各个所述模块区域，计算出所述上部等离子体值、所述中间等离子体值以及所述下部等离子体值的模块平均值，并利用按照各个所述模块区域计算出的多个模块平均值，设定基准值；

比较步骤，判断多个所述上部等离子体值、多个所述中间等离子体值以及多个所述下部等离子体值是否分别与所述基准值一致；

调节步骤，根据在所述比较步骤中的判断结果，以所述第一轴方向为基准，分别调节多个上部磁铁、多个中间磁铁以及多个下部磁铁从所述靶隔开的距离，其中，多个所述上部磁铁用于调节在多个所述上部区域所生成的等离子体的强度，多个所述中间磁铁用于调节在多个所述中间区域所生成的等离子体的强度，多个所述下部磁铁用于调节在多个所述下部区域所生成的等离子体的强度；以及

再执行步骤，在进行所述调节步骤之后，从所述等离子体值获取步骤开始再次执行，

所述等离子体值获取步骤中，在执行所述溅射工艺期间分别获取多个上部等离子体值、多个中间等离子体值、多个下部等离子体值，

所述基准值设定步骤中，在执行所述溅射工艺期间设定所述基准值，

所述调节步骤中，根据所述比较步骤的判断结果，在执行所述溅射工艺期间以所述第一轴方向为基准，分别调节多个上部磁铁、多个中间磁铁以及多个下部磁铁从所述靶隔开的距离，

重复进行所述再执行步骤，直至多个所述上部等离子体值、多个所述中间等离子体值以及多个所述下部等离子体值分别与所述基准值一致。

2.根据权利要求1所述的溅射装置控制方法，其特征在于，

所述等离子体值获取步骤包括：

第一等离子体值获取步骤，分别对多个所述模块区域中的第一模块区域的第一上部区域、第一中间区域以及第一下部区域测量等离子体的强度，以获取所述第一上部区域的第一上部等离子体值、所述第一中间区域的第一中间等离子体值以及所述第一下部区域的第一下部等离子体值；

第二等离子体值获取步骤，分别对多个所述模块区域中的第二模块区域的第二上部区域、第二中间区域以及第二下部区域测量等离子体的强度，以获取所述第二上部区域的第二上部等离子体值、所述第二中间区域的第二中间等离子体值以及所述第二下部区域的第二下部等离子体值；以及

第三等离子体值获取步骤，分别对多个所述模块区域中的第三模块区域的第三上部区域、第三中间区域以及第三下部区域测量等离子体的强度，以获取所述第三上部区域的第三上部等离子体值、所述第三中间区域的第三中间等离子体值以及所述第三下部区域的第三下部等离子体值。

3.根据权利要求2所述的溅射装置控制方法，其特征在于，

所述基准值设定步骤包括：

第一计算步骤，计算所述第一上部等离子体值、所述第一中间等离子体值以及所述第一下部等离子体值的第一模块平均值；

第二计算步骤，计算所述第二上部等离子体值、所述第二中间等离子体值以及所述第二下部等离子体值的第二模块平均值；

第三计算步骤，计算所述第三上部等离子体值、所述第三中间等离子体值以及所述第三下部等离子体值的第三模块平均值；以及

设定步骤，利用所述第一模块平均值、所述第二模块平均值以及所述第三模块平均值，设定所述基准值。

4.根据权利要求1所述的溅射装置控制方法，其特征在于，

所述基准值设定步骤中，利用按照各个所述模块区域计算出的多个模块平均值的综合平均值、按照各个所述模块区域计算出的多个模块平均值中的最大平均值、以及按照各个所述模块区域计算出的多个模块平均值中的最小平均值，来设定所述基准值。