[发明专利]溅射装置及溅射装置控制方法有效
申请号: | 201910828540.1 | 申请日: | 2019-09-03 |
公开(公告)号: | CN110872694B | 公开(公告)日: | 2022-01-04 |
发明(设计)人: | 朴瑨哲 | 申请(专利权)人: | 亚威科股份有限公司 |
主分类号: | C23C14/35 | 分类号: | C23C14/35;C23C14/54 |
代理公司: | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人: | 姜虎;陈英俊 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 溅射 装置 控制 方法 | ||
涉及溅射装置及溅射装置控制方法,该装置包括:支撑部,用于支撑基板;靶,从支撑部沿第一轴方向隔开配置;获取部,以第一轴方向为基准,测量在被支撑部支撑的基板与靶之间生成的等离子体的强度,以获取等离子体值;磁铁部,调节等离子体的强度;以及移动部,沿第一轴方向移动磁铁部,其中,磁铁部包括沿垂直于第一轴方向的第二轴方向隔开配置的多个磁铁模块,移动部包括结合于各个磁铁模块的多个移动模块,多个移动模块分别包括:中间移动机构,沿第一轴方向移动多个磁铁模块的中间磁铁;上部移动机构,沿第一轴方向移动多个磁铁模块的上部磁铁;以及下部移动机构,沿第一轴方向移动多个磁铁模块的下部磁铁。
技术领域
本发明涉及对基板进行诸如蒸镀工艺等溅射工艺的溅射装置及溅射装置控制方法。
背景技术
一般,为了制造显示装置、太阳能电池(Solar Cell)、半导体器件等,应当在基板上形成预定的薄膜层、薄膜回路图案或光学图案。为此,对基板进行处理工艺,例如,在基板上蒸镀特定材料的薄膜的蒸镀工艺、采用感光性材料以使薄膜选择性暴露的光刻工艺、去除被选择性暴露的部分的薄膜以形成图案的蚀刻工艺等。
像这样,对基板进行处理工艺的装备有溅射装置。溅射装置主要实施在基板上蒸镀薄膜的蒸镀工艺,采用物理蒸镀方式,实施溅射工艺。
现有技术涉及的溅射装置包括:支撑部,用于支撑基板;靶(Target),从所述支撑部隔开配置;以及磁铁(Magnet),用于生成等离子体。现有技术涉及的溅射装置在被所述支撑部支撑的基板与靶之间生成等离子体,随着多个离子化粒子由于所生成的等离子体而撞击所述靶,形成所述靶的薄膜材料蒸镀到所述基板上,进行所述溅射工艺。
其中,现有技术涉及的溅射装置利用在所述基板与所述靶之间生成的等离子体进行所述溅射工艺,但等离子体的强度在多个不同的区域有差异。因此,现有技术涉及的溅射装置存在如下问题。
第一,由于现有技术涉及的溅射装置在多个不同的区域等离子体的强度有差异,将按照所述靶的不同的部分发生侵蚀率的差异。因此,现有技术涉及的溅射装置存在的问题在于,因在所述靶中发生侵蚀最多的部分而导致剩余可使用的部分也不能使用。因此,现有技术涉及的溅射装置随着所述靶的总使用量的减少,靶的使用寿命减少,因此由于更换所述靶等而工艺费用增加。另外,现有技术涉及的溅射装置随着所述靶的使用周期缩短,由于更换所述靶而导致停止全体工艺的时间增加,因此由于运行率减小而导致完成溅射工艺的基板的生产率降低。
第二,由于现有技术涉及的溅射装置按照各个区域,等离子体的强度有差异,将按照所述基板不同的部分发生薄膜的蒸镀率的差异。因此,现有技术涉及的溅射装置存在蒸镀到所述基板的薄膜的均匀度降低等完成所述溅射工艺的基板的品质降低的问题。
发明内容
技术问题
本发明是为了解决上述问题而提出的,提供溅射装置及溅射装置控制方法,可防止由于按照各个区域发生等离子体的强度的差异而靶的使用效率降低。
本发明是提供溅射装置及溅射装置控制方法,可防止由于按照各个区域发生等离子体的强度的差异而完成溅射工艺的基板的品质降低。
技术方案
为了解决所述问题,本发明包括如下结构。
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