[发明专利]存储器、反熔丝存储单元及其制造方法

权利要求书

1.一种反熔丝存储单元，其特征在于，包括：

反熔丝电容，包括两个电极；以及

开关器件，包括源极、漏极和栅极；

其中，所述源极与一个所述电极导通，所述漏极用于接入零电位，所述栅极用于接入控制电位，另一个所述电极用于接入烧写电位。

2.根据权利要求1所述的反熔丝存储单元，其特征在于，所述反熔丝存储单元包括：

第一掺杂区；

第二掺杂区，与所述第一掺杂区相互分开；

阱区，包括夹设于所述第一掺杂区与所述第二掺杂区之间的第一区域；

绝缘的介电层，覆盖在所述第一区域上；

绝缘的反熔丝层，覆盖于所述第一掺杂区背离所述第二掺杂区的一端，其厚度小于或等于所述介电层的厚度；

第一电极，设置于所述反熔丝层背离所述第一掺杂区的表面，由金属材料制成；

第二电极，设置于所述介电层背离所述第一区域的表面；

其中，所述反熔丝层和所述介电层的介电常数均大于二氧化硅的介电常数，所述第一掺杂区、所述第二掺杂区和所述第二电极均为N型掺杂，所述阱区为P型阱区；或，所述第一掺杂区、所述第二掺杂区和所述第二电极均为P型掺杂，所述阱区为N型阱区；

所述反熔丝层、所述第一电极和所述第一掺杂区组成所述反熔丝电容，所述第一掺杂区、所述第二掺杂区、所述第二电极和所述阱区组成所述开关器件。

3.根据权利要求2所述的反熔丝存储单元，其特征在于，所述第一掺杂区与所述反熔丝层的接触面积大于反熔丝层面积的50％。

4.根据权利要求2所述的反熔丝存储单元，其特征在于，所述反熔丝存储单元还包括浅槽隔离区，所述浅槽隔离区设置在所述第一掺杂区背离所述第二掺杂区的一侧。

5.根据权利要求4所述的反熔丝存储单元，其特征在于，所述浅槽隔离区的厚度大于所述第一掺杂区的厚度。

6.根据权利要求4所述的反熔丝存储单元，其特征在于，所述浅槽隔离区延伸到所述反熔丝层的底部。

7.根据权利要求4所述的反熔丝存储单元，其特征在于，所述阱区包围所述第一掺杂区、所述第二掺杂区和所述浅槽隔离区。

8.根据权利要求2所述的反熔丝存储单元，其特征在于，所述反熔丝存储单元还包括筒状的第一侧墙，所述第一侧墙套在所述第一电极和所述反熔丝层上。

9.根据权利要求2所述的反熔丝存储单元，其特征在于，所述反熔丝存储单元还包括筒状的第二侧墙，所述第二侧墙套在所述第二电极和所述介电层上。

10.根据权利要求2所述的反熔丝存储单元，其特征在于，所述反熔丝层和所述介电层的材料均为氧化铪。

11.根据权利要求2所述的反熔丝存储单元，其特征在于，所述金属材料为钨、铝或铜。

12.如权利要求11所述的反熔丝器件，其特征在于，所述金属材料为钨。

13.如权利要求2所述的反熔丝器件，其特征在于，所述第一掺杂区和所述第二掺杂区的离子掺杂浓度相等。

14.一种存储器，其特征在于，包括如权利要求1-13中任一项所述的反熔丝存储单元。