[发明专利]一种基于中红外漫反射光谱技术的β-HMX晶型纯度检测方法

权利要求书

1.一种基于中红外漫反射光谱技术结合化学计量学偏最小二乘法的β-HMX晶型纯度的检测方法，其特征在于，所述检测方法包括以下步骤：

S1、校正集样品的配制：配制一系列不同组分含量的β-HMX、α-HMX混合晶型样品作为校正集样品，β-HMX晶型纯度按下式计算：

式中：ω_β为样品中β-HMX晶型纯度，以百分数表示；m_β为样品中β-HMX晶型的称样质量；m_α为样品中α-HMX晶型的称样质量；

S2、校正集样品的中红外漫反射光谱采集：采用中红外光谱仪结合漫反射光谱附件对校正集样品进行光谱采集；

S3、β-HMX晶型纯度定量校正模型的建立：对采集的中红外漫反射光谱进行光谱预处理，采用偏最小二乘法建立中红外漫反射光谱与β-HMX晶型纯度之间的相关性，获得β-HMX晶型纯度定量校正模型；

S4、待测样品的晶型纯度检测：基于建立的β-HMX晶型纯度定量校正模型对待测样品进行检测，每个样品平行测定两次，取其平均值作为β-HMX晶型纯度检测结果。

2.如权利要求1所述的晶型纯度检测方法，其特征在于，在所述步骤S1中，校正集样品的配制是采用湿法研磨、真空干燥的方式进行不同晶型组分的混合。

3.如权利要求2所述的晶型纯度检测方法，其特征在于，在所述步骤S1中，选择色谱纯正已烷作为湿法混合研磨试剂。

4.如权利要求1所述的晶型纯度检测方法，其特征在于，在所述步骤S2中，采用中红外光谱仪结合漫反射光谱附件进行校正集样品的光谱采集，并进行Kubelka-Munk校正；光谱扫描范围4000cm^-1～400cm^-1，分辨率2cm^-1，扫描次数128次。

5.如权利要求3所述的晶型纯度检测方法，其特征在于，在所述步骤S2中，样品制备方法为稀释法，样品与稀释剂溴化钾的混合比例为1:100。

6.如权利要求1所述的晶型纯度检测方法，其特征在于，在所述步骤S3中，采用化学计量学方法建立β-HMX晶型纯度定量校正模型，并基于此模型对待测样品进行β-HMX晶型纯度的检测。

7.如权利要求1所述的晶型纯度检测方法，其特征在于，在所述步骤S3中，光谱预处理方法包括矢量归一化、最小-最大归一化、多元散射校正。