[发明专利]半导体边缘光刻胶去除方法在审
| 申请号： | 201910829232.0 | 申请日： | 2019-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN110568730A | 公开（公告）日： | 2019-12-13 |
| 发明（设计）人： | 薛广杰;胡华;李赟 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G03F7/42 |
| 代理公司： | 31237 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 边缘区域 光刻胶层 有效区域 光刻胶残留 曝光处理 曝光 边缘光 胶去除 光罩 去除 包围 覆盖 | ||
1.一种半导体边缘光刻胶去除方法，其特征在于，包括：
提供一待曝光半导体，所述半导体包含有效区域以及包围所述有效区域的边缘区域；
形成光刻胶层在所述半导体上，所述光刻胶层至少覆盖所述半导体的边缘区域；
在所述半导体上方设置一光罩，对所述半导体的边缘区域进行曝光处理。
2.如权利要求1所述的半导体边缘光刻胶去除方法，其特征在于，所述光罩位于所述半导体的正上方。
3.如权利要求1所述的半导体边缘光刻胶去除方法，其特征在于，所述曝光处理的方法包括：提供曝光光源；采用所述曝光光源对所述半导体上的所述光刻胶层进行照射处理。
4.如权利要求3所述的半导体边缘光刻胶去除方法，其特征在于，所述曝光光源位于所述光罩的正上方。
5.如权利要求3所述的半导体边缘光刻胶去除方法，其特征在于，通过调整所述曝光光源、所述光罩以及所述半导体之间的距离来确定进行曝光的边缘区域。
6.如权利要求1所述的半导体边缘光刻胶去除方法，其特征在于，采用旋涂工艺在所述半导体上形成光刻胶层。
7.如权利要求1所述的半导体边缘光刻胶去除方法，其特征在于，曝光之后还包括：显影去除所述边缘区域的光刻胶层。
8.如权利要求7所述的半导体边缘光刻胶去除方法，其特征在于，显影之后还包括：对所述半导体进行清洗处理，去除残留的显影剂。
9.如权利要求1-8任一所述的半导体边缘光刻胶去除方法，其特征在于，所述半导体为晶圆，所述光罩呈圆形。
10.如权利要求9所述的半导体边缘光刻胶去除方法，其特征在于，所述光罩的半径为所述晶圆半径的80％～90％。
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