[发明专利]半导体边缘光刻胶去除方法

说明书

本发明提供了一种半导体边缘光刻胶去除方法，包括：提供一待曝光半导体，所述半导体包含有效区域以及包围所述有效区域的边缘区域，形成光刻胶层在所述半导体上，所述光刻胶层至少覆盖所述半导体的边缘区域，在所述半导体上方设置一光罩，对所述半导体的边缘区域进行曝光处理，从而提高了曝光的精度，同时提高了光刻胶层去除的精确性，避免了光刻胶残留造成的缺陷。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种半导体边缘光刻胶去除方法。

背景技术

随着半导体技术的发展，半导体器件的关键尺寸越来越小，光刻工艺过程中产生的缺陷对器件质量的影响也越来越严重，因此，晶圆边缘的清洁也变得更加重要。在光刻工艺过程中，光刻胶旋涂在晶圆表面上，靠近晶圆边缘的光刻胶易在晶圆上下表面处发生堆积，这些堆积在晶圆边缘的光刻胶在后续的蚀刻或者离子注入工艺过程中很可能与晶圆的机械操作手臂发生接触碰撞，从而导致颗粒污染的产生。

半导体的光刻工艺为了控制晶圆边缘的光刻胶残留缺陷，会设计不同的EBR(EdgeBead Remove，去边工艺)和WEE(Wafer Edge Exposure，晶圆边缘曝光)工艺组合。其中EBR主要是为了去除晶边以及背面边缘溅射的光刻胶，精度较差，辅助以WEE光刻显影将晶圆边的光刻胶形貌进行调整。

在传统工艺中，WEE一般采用紫外灯绕着晶圆边界旋转使光刻胶反应，随之被显影液去除，但是WEE微观上精度只能在0.1mm范围，不能满足微米级甚至纳米级的工艺，特别是在某些先后进行湿法和干法刻蚀的工艺中，由于WEE精度不高，在显影边界造成的薄薄的光刻胶残留会在湿法刻蚀中脱落，从而造成干法刻蚀时的部分刻蚀缺陷。

发明内容

基于以上所述的问题，本发明的目的在于提供一种半导体边缘光刻胶去除方法，可精确去除半导体边缘的光刻胶，避免光刻胶残留造成的缺陷。

为实现上述目的，本发明提供一种半导体边缘光刻胶去除方法，包括：

提供一待曝光半导体，所述半导体包含有效区域以及包围所述有效区域的边缘区域；

形成光刻胶层在所述半导体上，所述光刻胶层至少覆盖所述半导体的边缘区域；

在所述半导体上方设置一光罩，对所述半导体的边缘区域进行曝光处理。

可选的，在所述半导体边缘光刻胶去除方法中，所述光罩位于所述半导体的正上方。

可选的，在所述半导体边缘光刻胶去除方法中，所述曝光处理的方法包括：提供曝光光源；采用所述曝光光源对所述半导体上的所述光刻胶层进行照射处理。

可选的，在所述半导体边缘光刻胶去除方法中，所述曝光光源位于所述光罩的正上方。

可选的，在所述半导体边缘光刻胶去除方法中，通过调整所述曝光光源、所述光罩以及所述晶圆之间的距离来确定进行曝光的边缘区域。

可选的，在所述半导体边缘光刻胶去除方法中，采用旋涂工艺在所述半导体上形成光刻胶层。

可选的，在所述半导体边缘光刻胶去除方法中，曝光之后还包括：显影去除所述边缘区域的光刻胶层。

可选的，在所述半导体边缘光刻胶去除方法中，显影之后还包括：对所述半导体进行清洗处理，去除残留的显影剂。

可选的，在所述半导体边缘光刻胶去除方法中，所述光罩呈圆形。

可选的，在所述半导体边缘光刻胶去除方法中，所述光罩的半径为所述晶圆半径的80％～90％。

与现有技术相比，本发明提供的半导体边缘光刻胶去除方法中，在半导体上形成光刻胶层之后，在所述半导体上方设置一光罩，从而对所述半导体的边缘区域进行曝光处理，提高了曝光的精度，同时提高了光刻胶层去除的精确性，避免了光刻胶残留造成的缺陷。