[发明专利]像素电极结构及显示装置在审
| 申请号： | 201910830381.9 | 申请日： | 2019-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN110673405A | 公开（公告）日： | 2020-01-10 |
| 发明（设计）人： | 曹武 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1343 | 分类号： | G02F1/1343 |
| 代理公司： | 44300 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) | 代理人： | 黄威 |
| 地址： | 518132 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 分支电极 像素电极结构 第二电极 第一电极 主干电极 分支区域 显示装置 主干区域 穿透率 有效地 倒伏 液晶 | ||
1.一种像素电极结构，其特征在于，包括边界主干区域以及分支区域；其中
所述边界主干区域具有主干电极；
所述分支区域中具有若干分支电极，所述分支电极相互平行排列且连接于所述主干电极；相邻两根分支电极之间具有一间隙；
至少一分支电极具有第一电极部和第二电极部，所述第二电极部连接于所述第一电极部和所述主干电极之间；所述第一电极部的宽度小于所述第二电极部的宽度。
2.根据权利要求1所述的像素电极结构，其特征在于，在同一分支电极中，所述第一电极部的中心轴线与所述第二电极部的中心轴线的错开设置且相互平行。
3.根据权利要求1所述的像素电极结构，其特征在于，在同一分支电极中，所述第一电极部的中心轴线重合于所述第二电极部的中心轴线。
4.根据权利要求1所述的像素电极结构，其特征在于，在任意两个不同分支电极中，其中一个分支电极的第二电极部的宽度与另一个分支电极的第二电极的宽度相同。
5.根据权利要求1所述的像素电极结构，其特征在于，在任意两个不同分支电极中，其中一个分支电极的第二电极部的宽度与另一个分支电极的第二电极的宽度不同。
6.根据权利要求1所述的像素电极结构，其特征在于，在任意两个不同间隙中，其中一个间隙的宽度与另一个间隙的宽度相同或不同。
7.根据权利要求1所述的像素电极结构，其特征在于，所述分支电极与所述主干电极之间具有一夹角，所述夹角为30°-60°。
8.根据权利要求1所述的像素电极结构，其特征在于，所述分支电极还包括第三电极部，所述第三电极部连接在所述第一电极部和第二电极部之间，其中，所述第一电极部截面为长方形，所述第二电极部截面为长方形，所述第三电极部截面为上宽下窄的梯形。
9.根据权利要求1所述的像素电极结构，其特征在于，所述第二电极部的宽度与所述第一电极部的宽度之间的差值小于或等于2um。
10.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-9中任意一项所述的像素电极结构。
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