[发明专利]像素电极结构及显示装置在审

专利信息
申请号: 201910830381.9 申请日: 2019-09-04
公开(公告)号: CN110673405A 公开(公告)日: 2020-01-10
发明(设计)人: 曹武 申请(专利权)人: 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
主分类号: G02F1/1343 分类号: G02F1/1343
代理公司: 44300 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 代理人: 黄威
地址: 518132 广东省深*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 分支电极 像素电极结构 第二电极 第一电极 主干电极 分支区域 显示装置 主干区域 穿透率 有效地 倒伏 液晶
【说明书】:

发明公开了一种像素电极结构及显示装置,像素电极结构包括边界主干区域以及分支区域;其中边界主干区域具有主干电极;分支区域中具有若干分支电极,分支电极相互平行排列且连接于主干电极;相邻两根分支电极之间具有一间隙;至少一分支电极具有第一电极部和第二电极部,第二电极部连接于所述第一电极部和主干电极之间;第一电极部的宽度小于第二电极部的宽度。本发明的像素电极结构及显示装置,可以达到改善倒伏效率的目的,从而有效地提升了液晶穿透率。

技术领域

本发明涉及显示技术领域,具体为一种像素电极结构及显示装置。

背景技术

液晶分子的取向与液晶效率显著相关,具体表现为其倾倒角度和旋转方位角度(具体与液晶分子正负极性有关),液晶效率是指透过并旋转入射光方向,以使其能从出射方向的偏光片处出射的能力。

像素电极结构的分布是重要设计项,图1中L指像素电极的图形区的分支电极102’的宽度,S指两相邻分支电极102’之间的间隙100’的宽度,S与L的两者之和为P。一般P越小,显示面板的显示效果越优,目前常见P已经到5um甚至更低。

现有技术中,S与L的两者之和P相同,L与S的比例关系非常微妙;从理论上看,L越大,给予的垂直电场强,倾角改善明显,液晶效率越高;而从模拟结果看,由于分支电极102’与主干电极101’的边界处受复杂电场影响,一般L越小其液晶效率越高,但存在峰值设计。

在整颗像素中,分支电极102’的宽度L与分支电极102’之间的间隙100’的宽度S的比例或者S与L的两者之和P保持不变,即不随着区域不同而发生变化。而在液晶效率分析中,当将像素单元上下偏光片旋转45°后(将偏转不理想的液晶部分体现出来),发现,边界主干区的主干电极101’及数据线2两侧,或者边界处的主干电极101’的液晶倒伏状态不一致;其中十字主干区域的主干电极101’处的液晶分子完全倒伏,且旋转排列在水平垂直方向;而边界主干电极分子状态复杂,除了平面方位角未混乱外,其倒伏程度较差,且后者占主要部分,造成效率/穿透率下降明显。

发明内容

为解决上述技术问题:本发明提供一种像素电极结构及显示装置,通过改变分支电极的部分宽度或者分支电极之间的间隙的宽度,改变分支电极是L与S的比例关系,以提高液晶效率和穿透率。

解决上述问题的技术方案是:本发明提供一种像素电极结构,包括边界主干区域以及分支区域;其中所述边界主干区域具有主干电极;所述分支区域中具有若干分支电极,所述分支电极相互平行排列且连接于所述主干电极;相邻两根分支电极之间具有一间隙;至少一分支电极具有第一电极部和第二电极部,所述第二电极部连接于所述第一电极部和所述主干电极之间;所述第一电极部的宽度小于所述第二电极部的宽度。

在本发明的一实施例中,在同一分支电极中,所述第一电极部的中心轴线相错且平行于所述第二电极部的中心轴线。

在本发明的一实施例中,在同一分支电极中,所述第一电极部的中心轴线重合于所述第二电极部的中心轴线。

在本发明的一实施例中,在任意两个不同分支电极中,其中一个第二电极部的宽度与另一个第二电极的宽度相同。

在本发明的一实施例中,在任意两个不同分支电极中,其中一个第二电极部的宽度与另一个第二电极的宽度不同。

在本发明的一实施例中,在任意两个不同间隙中,其中一个间隙的宽度与另一个间隙的宽度相同或不同。

在本发明的一实施例中,所述分支电极与所述主干电极之间具有一夹角,所述夹角为30°-60°。

在本发明的一实施例中,所述分支电极还包括第三电极部,所述第三电极部连接在所述第一电极部和第二电极部之间,其中,所述第一电极部截面为长方形,所述第二电极部截面为长方形,所述第三电极部截面为上宽下窄的梯形。

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