[发明专利]清洗方法及等离子体处理装置

权利要求书

1.一种清洗方法，其包含：

向等离子体处理装置的腔室内供给清洗气体的工序；及

为了清洗所述腔室内的壁面，在所述腔室内由所述清洗气体形成等离子体的工序，

在供给清洗气体的所述工序及形成等离子体的所述工序中，聚焦环以绕所述腔室的中心轴线延伸的方式在所述腔室内搭载于基板支承座上，

在形成等离子体的所述工序中，通过电磁铁在所述腔室内形成磁场分布，

所述磁场分布相对于所述中心轴线，在径向上的所述聚焦环上的位置或比该聚焦环更靠外侧的位置具有最大水平成分。

2.根据权利要求1所述的清洗方法，其中，

所述磁场分布在所述径向上的比所述聚焦环更靠外侧的所述位置具有所述最大水平成分。

3.根据权利要求2所述的清洗方法，其中，

所述电磁铁具有设置于所述腔室的上方的线圈，该线圈绕所述中心轴线沿周向延伸，

以所述线圈的内径与外径之和的1/2规定的值大于所述聚焦环的外径。

4.根据权利要求3所述的清洗方法，其中，

所述线圈的所述内径大于所述聚焦环的内径且小于所述聚焦环的所述外径。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的清洗方法，其中，

在如下状态下执行供给清洗气体的所述工序及形成等离子体的所述工序，即，在所述基板支承座上且被所述聚焦环包围的区域内未载置物体的状态。

6.根据权利要求1至4中任一项所述的清洗方法，其中，

在如下状态下进行供给清洗气体的所述工序及形成等离子体的所述工序，即，在所述基板支承座上且被所述聚焦环包围的区域内载置有虚拟基板的状态。

7.一种等离子体处理装置，其具备：

腔室；

基板支承座，设置于所述腔室内；

气体供给部，构成为向所述腔室内供给清洗气体；

高频电源，构成为为了在所述腔室内由气体生成等离子体而产生高频电力；

电磁铁，构成为在所述腔室内形成磁场分布；

驱动电源，与所述电磁铁电连接；及

控制部，构成为控制所述气体供给部、所述高频电源及所述驱动电源，

聚焦环以绕所述腔室的中心轴线延伸的方式搭载于所述基板支承座上，

所述控制部构成为：

以如下方式控制所述气体供给部，即，向所述腔室内供给清洗气体，

以如下方式控制所述高频电源，即，为了在所述腔室内由所述清洗气体形成等离子体来清洗所述腔室内的壁面，供给所述高频电力，

以如下方式控制所述驱动电源，即，在所述等离子体的生成中，通过所述电磁铁，在所述腔室内形成磁场分布，所述磁场分布相对于所述中心轴线，在径向上的所述聚焦环上的位置或比该聚焦环更靠外侧的位置具有最大水平成分。

8.根据权利要求7所述的等离子体处理装置，其中，

所述磁场分布在所述径向上的比所述聚焦环更靠外侧的所述位置具有所述最大水平成分。

9.根据权利要求8所述的等离子体处理装置，其中，

所述电磁铁具有设置于所述腔室的上方的线圈，该线圈绕所述中心轴线沿周向延伸，

以所述线圈的内径与外径之和的1/2规定的值大于所述聚焦环的外径。

10.根据权利要求9所述的等离子体处理装置，其中，

所述线圈的所述内径大于所述聚焦环的内径且小于所述聚焦环的所述外径。