[发明专利]清洗方法及等离子体处理装置

说明书

示例性实施方式所涉及的清洗方法中，在等离子体处理装置的腔室内，由清洗气体形成等离子体。聚焦环以绕腔室的中心轴线延伸的方式在腔室内搭载于基板支承座上。在等离子体的形成中，通过电磁铁在腔室内形成磁场分布。磁场分布相对于中心轴线，在径向上的聚焦环上的位置或比聚焦环更靠外侧的位置具有最大水平成分。

技术领域

本发明的示例性实施方式涉及一种清洗方法及等离子体处理装置。

背景技术

等离子体处理装置用于针对基板的等离子体处理。等离子体处理装置具备腔室及基板支承座。基板支承座设置于腔室内。等离子体处理装置中，向腔室内供给处理气体，由该处理气体形成等离子体。通过来自处理气体的等离子体的化学物种对基板进行处理。

在等离子体处理中生成反应产物。反应产物附着在腔室内的壁面而形成堆积物。需要去除形成于腔室内的壁面的堆积物。日本特开2015-170611号公报中记载有用于去除形成于电容耦合型等离子体处理装置的上部电极的表面上的堆积物的清洗方法。

发明内容

在1个示例性实施方式中提供了一种清洗方法。清洗方法包含向等离子体处理装置的腔室内供给清洗气体的工序。清洗方法还包含为了清洗腔室内的壁面而在腔室内由清洗气体形成等离子体的工序。在供给清洗气体的工序及形成等离子体的工序中，聚焦环以绕腔室的中心轴线延伸的方式在腔室内搭载于基板支承座上。在形成等离子体的工序中，通过电磁铁在腔室内形成磁场分布。磁场分布相对于中心轴线，在径向上的聚焦环上的位置或比聚焦环更靠外侧的位置具有最大水平成分。

附图说明

图1是表示1个示例性实施方式所涉及的清洗方法的流程图。

图2是概略地表示1个示例性实施方式所涉及的等离子体处理装置的图。

图3是表示图2所示的等离子体处理装置的接地导体的内部结构的一例的俯视图。

具体实施方式

以下，对各种示例性实施方式进行说明。

在1个示例性实施方式中提供了一种清洗方法。清洗方法包含向等离子体处理装置的腔室内供给清洗气体的工序。清洗方法还包含为了清洗腔室内的壁面而在腔室内由清洗气体形成等离子体的工序。在供给清洗气体的工序及形成等离子体的工序中，聚焦环以绕腔室的中心轴线延伸的方式在腔室内搭载于基板支承座上。在形成等离子体的工序中，通过电磁铁在腔室内形成磁场分布。磁场分布相对于中心轴线，在径向上的聚焦环上的位置或比聚焦环更靠外侧的位置具有最大水平成分。

根据上述实施方式的清洗方法，通过形成上述磁场分布，等离子体的密度在靠近基板支承座的侧方的腔室内的壁面的位置上升。其结果，可有效地从基板支承座的侧方的腔室内的壁面去除堆积物。

1个示例性实施方式中，磁场分布也可以在径向上的比聚焦环更靠外侧的位置具有最大水平成分。

1个示例性实施方式中，电磁铁具有设置于腔室的上方的线圈。线圈绕上述中心轴线沿周向延伸。以线圈的内径与外径之和的1/2规定的值可以大于聚焦环的外径。根据该实施方式，可在从上述中心轴线具有以线圈的内径与外径之和的1/4规定的距离的位置获得上述磁场分布的最大水平成分。该位置为在径向上的比聚焦环更靠外侧的位置。因此，等离子体的密度在靠近基板支承座的侧方的腔室内的壁面的位置上升。

1个示例性实施方式中，线圈的内径可以大于聚焦环的内径且小于聚焦环的外径。根据该实施方式，还可以有效地去除形成于聚焦环上的堆积物。

1个示例性实施方式中，可以在如下状态下执行供给清洗气体的工序及形成等离子体的工序，即，在基板支承座上且被聚焦环包围的区域内未载置物体的状态。或者，可以在如下状态下执行供给清洗气体的工序及形成等离子体的工序，即，在基板支承座上且被聚焦环包围的区域内载置有虚拟基板的状态。