[发明专利]半导体存储器装置及其制造方法

说明书

一种半导体存储器装置可包括：衬底；位线结构，其在衬底上在一个方向上延伸，位线结构包括侧壁；存储节点接触件，其位于位线结构的侧壁上；第一间隔件和第二间隔件，它们位于位线结构的侧壁与存储节点接触件之间，第一间隔件与第二间隔件通过第一间隔件与第二间隔件之间的空间分离；位线结构上的层间电介质层，层间电介质层包括底表面；间隔件封盖图案，其从层间电介质层的底表面朝着第一间隔件与第二间隔件之间的空间向下延伸；以及着陆焊盘结构，其穿过层间电介质层，着陆焊盘结构耦接至存储节点接触件。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2018年12月24日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2018-0168250的优先权，其全部内容以引用方式全文并入本文中。

技术领域

本发明构思涉及一种半导体存储器装置和/或其制造方法，并且更具体地说，涉及一种包括具有空气间隙的间隔件结构的半导体存储器装置和/或其制造方法。

背景技术

半导体装置因为它们的小尺寸、多功能性和/或低制造成本被认为是电子工业中的重要因素。半导体装置随着电子工业的发展集成度越来越高。例如，半导体装置的图案的线宽因其高的集成度而减小。然而，图案的精细化需要新的曝光技术和/或昂贵的曝光技术，从而难以高度集成半导体装置。因此，近来，针对新集成技术执行了各种研究。

发明内容

本发明构思的一些示例实施例提供了一种可靠性提高的半导体存储器装置及其制造方法。

本发明构思的一方面不限于上述内容，本领域普通技术人员将通过以下描述清楚地理解上文未提及的其它方面。

根据本发明构思的一些示例实施例，一种半导体存储器装置可包括：衬底；位线结构，其在衬底上在一个方向上延伸，位线结构包括侧壁；存储节点接触件，其位于位线结构的侧壁上；第一间隔件和第二间隔件，它们位于位线结构的侧壁与存储节点接触件之间，第一间隔件与第二间隔件通过第一间隔件与第二间隔件之间的空间分离；位线结构上的层间电介质层，层间电介质层包括底表面；间隔件封盖图案，其从层间电介质层的底表面朝着第一间隔件与第二间隔件之间的空间向下延伸；以及着陆焊盘结构，其穿过层间电介质层，着陆焊盘结构耦接至存储节点接触件。

根据本发明构思的一些示例实施例，一种半导体存储器装置可包括：衬底，其包括第一有源区和第二有源区，第一有源区和第二有源区彼此间隔开；位线结构，其耦接至第一有源区，位线结构经过衬底，位线结构包括侧壁；位线结构的侧壁上的间隔件结构；位线结构和间隔件结构上的层间电介质层；以及着陆焊盘结构，其穿过层间电介质层，并且电连接至第二有源区。着陆焊盘结构包括朝着衬底突出的突起，并且突起的底端位于比间隔件结构的顶端低的水平处。

根据本发明构思的一些示例实施例，一种半导体存储器装置可包括：衬底；衬底上的一对位线结构，所述一对位线结构沿着一个方向平行地延伸；存储节点接触件，所述存储节点接触件位于所述一对位线结构之间；所述一对位线结构之间的下着陆焊盘，所述下着陆焊盘位于存储节点接触件上；所述一对位线结构和下着陆焊盘上的层间电介质层，所述层间电介质层包括底表面；以及上着陆焊盘，其穿过层间电介质层并且耦接至下着陆焊盘，上着陆焊盘的底端处于比层间电介质层的底表面低的水平。

根据本发明构思的一些示例实施例，一种制造半导体存储器装置的方法可包括：在衬底上形成位线结构；形成第一间隔件、牺牲间隔件和第二间隔件，第一间隔件、牺牲间隔件和第二间隔件按次序覆盖位线结构的侧壁；在第二间隔件的侧表面上形成下着陆焊盘；通过去除牺牲间隔件在第一间隔件与第二间隔件之间形成空气间隙；在位线结构和下着陆焊盘上形成层间电介质层，层间电介质层填充空气间隙的上部；以及形成穿过层间电介质层的上着陆焊盘，上着陆焊盘耦接至下着陆焊盘。

附图说明

图1A示出了显示根据本发明构思的一些示例实施例的半导体存储器装置的平面图；