[发明专利]晶体管元件

权利要求书

1.一种晶体管元件，其特征在于，包括：

一基底，该基底是第一导电型；

第二导电型的一埋入层，在该基底中的表层区域，其中该第二导电型的该埋入层包含：

中心区域；

多个分离区域，由该中心区域向外分布；以及

外围区域，在该多个分离区域的外围；

一外延层，形成在该基底上；

该第一导电型的一高电压阱，在该外延层中；以及

该第一导电型的金属氧化物半导体晶体管，形成在该高电压阱上，

其中该第二导电型的该埋入层的该中心区域是在该金属氧化物半导体晶体管的漏极区域的下方。

2.如权利要求1所述的晶体管元件，其特征在于，该多个分离区域是分离区块或是分离环状区块。

3.如权利要求1所述的晶体管元件，其特征在于，该第二导电型的该埋入层的该多个分离区域的宽度，在由该中心区域向该金属氧化物半导体晶体管的源极区域的延伸方向上是相同。

4.如权利要求1所述的晶体管元件，其特征在于，该第二导电型的该埋入层的该多个分离区域的宽度，在由该中心区域向该金属氧化物半导体晶体管的源极区域的延伸方向上逐渐增大。

5.如权利要求1所述的晶体管元件，其特征在于，该第二导电型的该埋入层的该多个分离区域是圆环状。

6.如权利要求1所述的晶体管元件，其特征在于，该第二导电型的该埋入层的该外围区域是在该金属氧化物半导体晶体管的源极区域的下方。

7.如权利要求1所述的晶体管元件，其特征在于，该第二导电型的该埋入层在该基底构成掺杂扩散区域，该掺杂扩散区域依照掺杂量对应该多个分离区域构成多个掺杂环或是多个掺杂区块，该多个掺杂环或是该多个掺杂区块的相邻两个的连接区域的掺杂量相对该相邻两个的该掺杂环或是该掺杂区块的中间区域的掺杂量为低。

8.如权利要求1所述的晶体管元件，其特征在于，更包括：

绝缘层，在该外延层表面且在该高电压阱上方；

栅极结构，在该外延层及该绝缘层上；

源极区域，在该外延层的表层，在该第二导电型的该埋入层的该外围区域的上方，相对该漏极区域与该源极区域是在该栅极结构的两边。

9.如权利要求1所述的晶体管元件，其特征在于，该多个分离区域的宽度小于或等于相邻两个该分离区域之间的间距。

10.如权利要求1所述的晶体管元件，其特征在于，该多个分离区域的宽度是相邻两个该分离区域之间的间距的0.4倍到1.0倍之间。

11.如权利要求1所述的晶体管元件，其特征在于，该第二导电型的该埋入层在该外围区域的平均掺杂量大于在该多个分离区域的平均掺杂量。

12.如权利要求1所述的晶体管元件，其特征在于，该第一导电型为P型与该第二导电型为N型。