[发明专利]一种穿刺高分子薄膜全方位导电胶带的制备方法

权利要求书

1.一种穿刺高分子薄膜全方位导电胶带的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：在高分子薄膜表面进行针刺穿孔，再在穿孔膜表面进行化学镀金属膜或磁控溅射镀金属膜，以及任选地电镀加厚，使本材料形成通过孔洞导通且双面或单面带金属膜刺的基材，再在其表面涂布或贴敷压敏胶膜或热熔胶膜，经过辊压，使金属膜刺刺穿胶膜，从而形成全方位导电胶膜；

所述高分子薄膜选用PET、PO、PE、PEN、PI材质的高分子薄膜；

所述高分子薄膜的厚度为1-200μm；

所述针刺的孔距为100-10000μm，穿孔孔径为1-500μm；

所述穿刺为双面穿刺或单面穿刺；

所述磁控溅射镀金属膜的厚度为20-200纳米；

其中，当所述化学镀金属膜的厚度达到20-2000纳米时，后续无需电镀加厚；

所述金属膜的材质选自镍、铜、银、锡及其合金导电材料中的至少一种；

所述金属膜层的总厚度为200-2000纳米；

所述压敏胶膜或热熔胶膜涂布或贴敷的位置为所述穿孔膜的突起面；

所述导电胶带的方阻5毫欧-1000毫欧，垂直电阻2-100毫欧。