[发明专利]一种穿刺高分子薄膜全方位导电胶带的制备方法

说明书

本发明公开一种穿刺高分子薄膜全方位导电胶带的制备方法。该制备方法包括如下步骤：在高分子薄膜表面进行针刺穿孔，再在穿孔膜表面进行化学镀金属膜或磁控溅射镀金属膜，以及任选地电镀加厚，使本材料形成通过孔洞导通且双面或单面带金属膜刺的基材，再在其表面涂布或贴敷压敏胶膜或热熔胶膜，经过辊压，使金属膜刺刺穿胶膜，从而形成全方位导电胶膜。本发明是通过结构设计，利用目前高分子薄膜的特性，制作最薄厚度可以达到2μm的全方位导电胶带，导电胶带的方阻5毫欧‑1000毫欧，垂直电阻2‑100毫欧。

技术领域

本发明属于导电胶带领域，具体涉及一种穿刺高分子薄膜全方位导电胶带的制备方法。

背景技术

随着电子产品的应用日益广泛，电磁兼容成为电子产品需要着重解决的一道难题。目前广泛使用的导电胶带适用于电脑、手机、电线、电缆等各类电子、电器产品，主要是在高频传输时遮蔽或隔离电磁波或无限电波的干扰。

导电胶带就是用导电布或金属箔做成的胶带，其特性是在导电布或导电箔材的基础上增加了具备导电和胶黏特性的涂层，既导电胶。一般行业上使用的导电胶，是在压敏胶或热熔胶中加入镍粉，使胶层受到压力的情况下，镍粉刺穿胶膜，起到两层间导电连接的作用，形成一个连续的导电体，从而保证屏蔽效能的稳定。

然而随着智能手机等电子产品越来越薄，对电磁屏蔽材料的要求也是越来越薄。但是由于目前纺织品难以做到20μm以内，即使可以做到，成本也非常高昂，而金属箔材在较薄的情况下也是成本高昂且容易断裂和撕裂，不耐折弯。在这种应用背景下，就需要有一种新的材料来面对这种要求。

发明内容

本发明提供一种穿刺高分子薄膜全方位导电胶带的制备方法，所述制备方法包括如下步骤：在高分子薄膜表面进行针刺穿孔，再在穿孔膜表面进行化学镀金属膜或磁控溅射镀金属膜，以及任选地电镀加厚，使本材料形成通过孔洞导通且双面或单面带金属膜刺的基材，再在其表面涂布或贴敷压敏胶膜或热熔胶膜，经过辊压，使金属膜刺刺穿胶膜，从而形成全方位导电胶膜。

其中，所述高分子薄膜可以选用PET、PO、PE、PEN、PI等材质的高分子薄膜。进一步地，所述高分子薄膜的厚度可以为1-200μm，例如10-150μm。

其中，所述针刺的孔距为100-10000μm，穿孔孔径为1-500μm；例如孔距为100-1000μm，穿孔孔径为50-300μm。可进行双面穿刺或单面穿刺。

其中，所述磁控溅射镀金属膜可以采用本领域已知的操作。进一步地，所述磁控溅射镀金属膜的厚度为20-200纳米，例如50-150纳米。

其中，所述化学镀金属膜可以采用本领域已知的操作。进一步地，当所述化学镀金属膜的厚度达到20-2000纳米(优选为100-1000纳米)时，后续无需电镀加厚。

其中，所述金属膜的材质选自镍、铜、银、锡及其合金等导电材料中的至少一种。

其中，所述电镀加厚的操作可以选用磁控溅射镀金属膜或化学镀金属膜。进一步地，电镀后，所述镀层的总厚度为200-2000纳米。

其中，所述化学镀铜膜的电镀液可以选用柠檬酸盐电镀溶液，其包含：硫酸铜120-150g/L、硫酸葡萄糖10-25g/L、磷酸钾柠檬25-35g/L、酸氨硫酸盐35-45g/L。例如，所述化学镀镍膜的电镀液可以包括：氢氧化钠130-150mg/L、氯化镍15-30mg/L、氯化钠40-50mg/L、亚磷酸60-70mg/L、丁二酸30-50mg/L、羟甲基丙烯酸80-90mg/L、硼酸120-140mg/L、十二烷基苯磺酸钠10-30mg/L。

其中，所述导电胶带的方阻5毫欧-1000毫欧，垂直电阻2-100毫欧。

其中，所述压敏胶膜或热熔胶膜涂布或贴敷的位置为所述穿孔膜的突起面。

本发明的有益效果：