[发明专利]存储装置以及存储装置的操作方法有效

专利信息
申请号: 201910832232.6 申请日: 2019-09-04
公开(公告)号: CN111009280B 公开(公告)日: 2023-08-29
发明(设计)人: 李觥祐;金灿河;李允井;金志守;卢承京;李镇旭;李熙元 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: G11C29/12 分类号: G11C29/12
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 赵南;张帆
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 存储 装置 以及 操作方法
【说明书】:

一种存储装置包括:非易失性存储器装置,其包括多个存储器块,每个存储器块包括连接到多条字线的多个存储器单元;以及控制器,其被配置为基于外部主机装置的请求对包括在所选存储器块中的连接到所选字线的存储器单元执行第一读取操作。控制器还被配置为在执行第一读取操作之后执行检查所选存储器块的存储器单元的可靠性的检查读取操作。在检查读取操作中,控制器还被配置为选择并执行实际检查和基于机器学习的检查中的一个。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2018年10月8日提交的韩国专利申请No.10-2018-0120029的优先权,该申请的全部公开内容以引用方式并入本文中。

技术领域

本发明构思的示例性实施例涉及半导体装置,更具体地,涉及一种使用机器学习来执行可靠性检查的存储装置以及该存储装置的操作方法。

背景技术

存储装置在诸如计算机、智能电话、平板计算机等的主机装置的控制下存储数据。存储装置可以是在诸如硬盘驱动器(HDD)的磁盘上存储数据的装置,或者是在诸如固态驱动器(SSD)或存储卡的半导体存储器中,特别是非易失性存储器中存储数据的装置。

例如,非易失性存储器装置包括只读存储器(ROM)、可编程ROM(PROM)、电可编程ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、闪存、相变随机存取存储器(PRAM)、磁RAM(MRAM)、电阻RAM(RRAM)、铁电RAM(FRAM)等。

随着半导体制造技术的进步,存储装置的集成度及其体积继续增加。存储装置的高集成度使得可降低制造存储装置所需的成本。然而,存储装置的高集成度导致存储装置必须按比例缩小并且存储装置的结构改变。结果,可出现各种新的问题。这种问题可导致存储在存储装置中的数据的损坏,从而降低存储装置的可靠性。

发明内容

本发明构思的示例性实施例提供了一种通过使用机器学习在短时间内执行可靠性检查的存储装置以及该存储装置的操作方法。

根据示例性实施例,一种存储装置包括:非易失性存储器装置,其包括多个存储器块,每个存储器块包括连接到多条字线的多个存储器单元;以及控制器,其被配置为基于外部主机装置的请求对包括在所选存储器块中的连接到所选字线的存储器单元执行第一读取操作。控制器还被配置为在执行第一读取操作之后执行检查所选存储器块的存储器单元的可靠性的检查读取操作。在检查读取操作中,控制器还被配置为选择并执行实际检查和基于机器学习的检查中的一个。

根据示例性实施例,一种存储装置包括:非易失性存储器装置,其包括多个存储器块,每个存储器块包括连接到多条字线的多个存储器单元;以及控制器,其被配置为基于外部主机装置的请求对包括在所选存储器块中的连接到所选字线的存储器单元执行读取操作。控制器还被配置为在执行读取操作之后执行检查所选存储器块的存储器单元的可靠性的检查读取操作。在检查读取操作中,控制器对所选存储器块中的第一检查目标字线执行实际检查,并对所选存储器块中的第二检查目标字线执行基于机器学习的检查。

根据示例性实施例,一种存储装置的操作方法,该存储装置包括非易失性存储器装置以及被配置为控制该非易失性存储器装置的控制器,该操作方法包括:从包括在非易失性存储器装置中的多个存储器块选择存储器块的字线;在控制器处对连接到所选字线的多个存储器单元执行读取操作;以及在控制器处响应于读取操作对连接到所选字线的存储器块的连接到至少一条检查目标字线的存储器单元执行检查读取操作。检查读取操作组合了对连接到所述至少一条检查目标字线的存储器单元的执行实际检查和基于机器学习的检查。

附图说明

通过参照附图详细描述本发明构思的示例性实施例,本发明构思的以上和其它特征将变得更显而易见,在附图中:

图1是示出根据本发明构思的示例性实施例的存储装置的框图。

图2是示出根据本发明构思的示例性实施例的非易失性存储器装置的框图。

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