[发明专利]半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：

提供至少一个平台结构，其中所述至少一个平台结构包括一III-V族化合物半导体层；

在所述至少一个平台结构上形成一钝化层；

在所述钝化层上形成一栅极介电层；

在所述栅极介电层上形成一栅极；以及

在形成所述栅极之前，对所述栅极介电层进行一刻蚀工艺，用以薄化所述栅极介电层。

2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，在所述刻蚀工艺之前，所述栅极介电层的厚度大于所述钝化层的厚度，且在所述刻蚀工艺之后，所述栅极介电层的厚度小于所述钝化层的厚度。

3.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，还包括：

在所述至少一个平台结构中形成一沟槽，其中所述栅极至少部分形成在所述沟槽中。

4.根据权利要求3所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述至少一个平台结构还包括设置在所述III-V族化合物半导体层上的一氮化物层，且所述沟槽至少部分形成在所述氮化物层中。

5.根据权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述沟槽还部分形成在所述III-V族化合物半导体层中。

6.根据权利要求3所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述钝化层以及所述栅极介电层是在所述沟槽形成之后形成，且所述钝化层以及所述栅极介电层部分形成在所述沟槽中。

7.根据权利要求3所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述钝化层包括一第一钝化层以及一间隙子，且所述钝化层以及所述沟槽的形成方式包括：

在所述至少一个平台结构上形成所述第一钝化层；

在所述第一钝化层中形成一开口，并在所述开口的侧壁上形成所述间隙子；以及

以所述间隙子为掩模对所述至少一个平台结构进行刻蚀而形成所述沟槽。

8.根据权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述钝化层还包括一第二钝化层，所述第二钝化层是在所述沟槽形成之后形成，且所述第二钝化层至少部分形成在所述沟槽中。

9.根据权利要求3所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，还包括：

在位于所述沟槽下方的所述平台结构中形成一氟掺杂区。

10.根据权利要求9所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述氟掺杂区至少部分位于所述III-V族化合物半导体层中。

11.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，还包括：

在所述栅极在一水平方向上的两侧分别形成一源极以及一漏极，其中所述源极部分形成在所述至少一个平台结构中，且所述漏极部分形成在所述至少一个平台结构中。

12.根据权利要求11所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述源极与所述漏极贯穿所述至少一个平台结构上的所述栅极介电层与所述钝化层。

13.根据权利要求11所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述至少一个平台结构还包括设置在所述III-V族化合物半导体层上的一氮化物层，且所述源极与所述漏极部分形成在所述氮化物层中。

14.根据权利要求13所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述源极与所述漏极还部分形成在所述III-V族化合物半导体层中。

15.根据权利要求11所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，还包括：

在所述栅极与所述漏极之间的所述至少一个平台结构上形成一辅助电极。