[发明专利]半导体装置的制造方法在审

申请号：	201910833072.7	申请日：	2019-09-04
公开（公告）号：	CN111048411A	公开（公告）日：	2020-04-21
发明（设计）人：	石逸群;叶顺闵	申请（专利权）人：	聚力成半导体（重庆）有限公司
主分类号：	H01L21/28	分类号：	H01L21/28;H01L29/423;H01L21/335;H01L29/778
代理公司：	合肥市科融知识产权代理事务所(普通合伙) 34126	代理人：	陈思聪
地址：	402360 重***	国省代码：	重庆;50
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摘要：
搜索关键词：	半导体装置制造方法
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【说明书】：

本发明公开了一种半导体装置的制造方法，包括下列步骤。提供至少一个平台结构，且平台结构包括一III‑V族化合物半导体层。在平台结构上形成一钝化层。在钝化层上形成一栅极介电层。在栅极介电层上形成一栅极。在形成栅极之前，对栅极介电层进行一刻蚀工艺，用以薄化栅极介电层。利用刻蚀工艺调整栅极介电层的厚度，借此达到提高半导体装置的电性表现的效果。

技术领域

本发明涉及一种半导体装置的制造方法，特别涉及一种利用刻蚀工艺对栅极介电层进行薄化的半导体装置的制造方法。

背景技术

III-V族化合物因为其半导体特性而可应用在形成许多种类的集成电路装置，例如高功率场效应晶体管、高频晶体管或高电子迁移率晶体管(high electron mobilitytransistor，HEMT)。近年来，氮化镓(GaN)系列的材料因为拥有比较宽能隙与饱和速率高的特点而适合应用在高功率与高频率产品。氮化镓系列的半导体装置由材料本身的压电效应产生二维电子气(2DEG)，其电子速度以及密度均比较高，故可用以增加切换速度。然而，各氮化镓系列材料层的接口状态以及与栅极介电层之间的缺陷状态均容易影响到半导体装置的电性表现，故如何通过结构和/或制造方法上的设计改变来改善上述问题用以提高电性表现一直是相关领域人员持续努力的课题。

发明内容

本发明提供了一种半导体装置的制造方法，利用在栅极形成之前对栅极介电层进行刻蚀工艺用以薄化栅极介电层，借此调整并控制栅极介电层的厚度而达到提高半导体装置电性表现的效果。

根据本发明的一实施例，本发明提供了一种半导体装置的制造方法，包括下列步骤。首先，提供至少一个平台(mesa)结构，且平台结构包括一III-V族化合物半导体层。在平台结构上形成一钝化层。在钝化层上形成一栅极介电层。在栅极介电层上形成一栅极。在形成栅极之前，对栅极介电层进行一刻蚀工艺，用以薄化栅极介电层。

附图说明

图1到图7所示为本发明第一实施例的半导体装置的制造方法示意图，其中

图2所示为图1之后的制造方法示意图；

图3所示为图2之后的制造方法示意图；

图4所示为图3之后的制造方法示意图；

图5所示为图4之后的制造方法示意图；

图6所示为图5之后的制造方法示意图；

图7所示为图6之后的制造方法示意图。

图8所示为本发明第二实施例的半导体装置的示意图。

图9所示为本发明第三实施例的半导体装置的示意图。

图10到图12所示为本发明第四实施例的半导体装置的制造方法示意图，其中

图11所示为图10之后的制造方法示意图；